Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами

Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетеро­структур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2001
Автори: Кондрат, А.Б., Довгошей, Н.И., Поляк, Я.М., Сидор, Ю.Й., Повч, Р.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70888
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine