Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетероструктур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70888 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70888 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-708882014-11-16T03:02:11Z Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами Кондрат, А.Б. Довгошей, Н.И. Поляк, Я.М. Сидор, Ю.Й. Повч, Р.М. Функциональная микроэлектроника Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетероструктур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и инжектирующими (Sb) контактами. ВАХ и ВФХ исследованы в области напряжений от 0,01 до 1,00 В. Показано существенное влияние нанесенных нанослоев на механизм переноса носителей заряда через исследуемую структуру. 2001 Article Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70888 539.21:537.1 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микроэлектроника Функциональная микроэлектроника Кондрат, А.Б. Довгошей, Н.И. Поляк, Я.М. Сидор, Ю.Й. Повч, Р.М. Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Разработаны новые гетероструктуры со стабильными во времени параметрами и характеристиками. Исследованы вольт-амперные характеристики Ge₃₃As₁₂Se₅₅—X—n-Si (X—промежуточный нанослой Sb, Bi, In и Pb) с контактами Al; p-Si, пленок Ge₃₃As₁₂Se₅₅ и гетероструктур p-Si – Ge₃₃As₁₂Se₅₅ с блокирующими (In) и инжектирующими (Sb) контактами. ВАХ и ВФХ исследованы в области напряжений от 0,01 до 1,00 В. Показано существенное влияние нанесенных нанослоев на механизм переноса носителей заряда через исследуемую структуру. |
| format |
Article |
| author |
Кондрат, А.Б. Довгошей, Н.И. Поляк, Я.М. Сидор, Ю.Й. Повч, Р.М. |
| author_facet |
Кондрат, А.Б. Довгошей, Н.И. Поляк, Я.М. Сидор, Ю.Й. Повч, Р.М. |
| author_sort |
Кондрат, А.Б. |
| title |
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами |
| title_short |
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами |
| title_full |
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами |
| title_fullStr |
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами |
| title_full_unstemmed |
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами |
| title_sort |
электрофизические характеристики структур si—x—ge₃₃as₁₂se₅₅ (x: sb, bi, in, pb) с различными контактами |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2001 |
| topic_facet |
Функциональная микроэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70888 |
| citation_txt |
Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами / А.Б. Кондрат, Н.И. Довгошей, Я.М. Поляк, Ю.Й. Сидор, Р.М. Повч // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 20-24. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kondratab élektrofizičeskieharakteristikistruktursixge33as12se55xsbbiinpbsrazličnymikontaktami AT dovgošejni élektrofizičeskieharakteristikistruktursixge33as12se55xsbbiinpbsrazličnymikontaktami AT polâkâm élektrofizičeskieharakteristikistruktursixge33as12se55xsbbiinpbsrazličnymikontaktami AT sidorûj élektrofizičeskieharakteristikistruktursixge33as12se55xsbbiinpbsrazličnymikontaktami AT povčrm élektrofizičeskieharakteristikistruktursixge33as12se55xsbbiinpbsrazličnymikontaktami |
| first_indexed |
2023-10-18T18:59:31Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:59:31Z |
| _version_ |
1796145710815510528 |