Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника

В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал ΔVjst (r) в системе полупроводник—вакуум—металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металл...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Ильченко, Л.Г., Ильченко, В.В., Лобанов, В.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2011
Назва видання:Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74452
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 313-324. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-74452
record_format dspace
spelling irk-123456789-744522015-01-21T03:03:17Z Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника Ильченко, Л.Г. Ильченко, В.В. Лобанов, В.В. В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал ΔVjst (r) в системе полупроводник—вакуум—металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при L < 10 нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины L < 0,1 нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал ΔVjst (r), который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала Vj (r) на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области. В межах методи діелектричного формалізму для систем з трьох середовищ з просторовою дисперсією розраховано структурний потенціял ΔVjst (r) в системі напівпровідник—вакуум—метал, який обумовлений атомарною (мікроскопічною) структурою кожної з поверхонь. Взаємозв’язок між напівпровідником та металом, який обумовлений екрануванням поверхневого заряду напівпровідника вільними електронами близько розташованого металу та підсилений утворенням потенціяльного бар’єру у вакуумному проміжку при L < 10 нм, істотно зростає зі зменшенням його товщини L < 0,1 нм. Показано, що розрахований структурний потенціял ΔVjst (r), який є суперпозицією внесків мікроскопічної структури кожної з двох поверхонь, є несиметричним та обумовлює не тільки локальну зміну висоти потенціяльного бар’єру у вакуумній щілині, але й латеральну зміну сумарного потенціялу Vj (r) на поверхні напівпровідника та в його приповерхневій області. Within the scope of the dielectric formalism for three media with spatial dispersion, structural potential in a semiconductor—vacuum—metal system, ΔVjst (r), is calculated. This potential is caused by atomic (microscopic) structure of each surface. Interconnection between semiconductor and metal, which is caused by shielding of surface-bound charge of semiconductor by free electrons of closely located metal and enhanced by formation of potential barrier in a vacuum gap at L < 10 nm, increases substantially with the decrease of its thickness, L < 0.1 nm. As shown, the calculated structural potential, ΔVjst (r), which is a superposition of contributions of microscopic structures of each of two surfaces, is asymmetric and causes not only local change of the height of potential barrier in the vacuum gap, but also a lateral change of total potential, Vj (r), on the surface of semiconductor and in its near-surface area. 2011 Article Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 313-324. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 73.30.+y, 77.22.Ch, 79.70.+q, 85.30.De, 85.30.Hi, 85.30.Tv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74452 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В рамках метода диэлектрического формализма для системы трёх сред с пространственной дисперсией рассчитан структурный потенциал ΔVjst (r) в системе полупроводник—вакуум—металл, который обусловлен атомной (микроскопической) структурой каждой из поверхностей. Взаимосвязь между полупроводником и металлом, которая обусловлена экранированием поверхностного заряда полупроводника свободными электронами близко расположенного металла и усилена образованием потенциального барьера в вакуумном промежутке при L < 10 нм, существенно возрастает с уменьшением его толщины L < 0,1 нм. Показано, что рассчитанный структурный потенциал ΔVjst (r), который является суперпозицией вкладов микроскопической структуры каждой из двух поверхностей, является несимметричным и обусловливает не только локальное изменение высоты потенциального барьера в вакуумной щели, но и латеральное изменение суммарного потенциала Vj (r) на поверхности полупроводника и в его приповерхностной области.
format Article
author Ильченко, Л.Г.
Ильченко, В.В.
Лобанов, В.В.
spellingShingle Ильченко, Л.Г.
Ильченко, В.В.
Лобанов, В.В.
Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
author_facet Ильченко, Л.Г.
Ильченко, В.В.
Лобанов, В.В.
author_sort Ильченко, Л.Г.
title Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
title_short Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
title_full Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
title_fullStr Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
title_full_unstemmed Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
title_sort влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
publishDate 2011
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/74452
citation_txt Влияние атомной структуры поверхности металла на потенциальный рельеф близкорасположенной поверхности полупроводника / Л.Г. Ильченко, В.В. Ильченко, В.В. Лобанов // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2011. — Т. 9, № 2. — С. 313-324. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
work_keys_str_mv AT ilʹčenkolg vliânieatomnojstrukturypoverhnostimetallanapotencialʹnyjrelʹefblizkoraspoložennojpoverhnostipoluprovodnika
AT ilʹčenkovv vliânieatomnojstrukturypoverhnostimetallanapotencialʹnyjrelʹefblizkoraspoložennojpoverhnostipoluprovodnika
AT lobanovvv vliânieatomnojstrukturypoverhnostimetallanapotencialʹnyjrelʹefblizkoraspoložennojpoverhnostipoluprovodnika
first_indexed 2023-10-18T19:07:22Z
last_indexed 2023-10-18T19:07:22Z
_version_ 1796146063174795264