Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів

Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автор: Свірін, П.В.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2008
Назва видання:Реєстрація, зберігання і обробка даних
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7605
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine