Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers
This paper concerns with investigation of the trimming process which uses ion beam etching for high-precision adjustment of the thickness of functional microelectronics layers. The layer deposited on the substrate is etched by scanning focused ion beam; its position and power is regulated accordin...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/90892 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers / A.A. Bizyukov, I.A. Bizyukov, O.I. Girka, K.N. Sereda, V.V. Sleptsov, M. Gutkin, S. Mishin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 1. — С. 110-112. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |