Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны....
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99825 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |