Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey

Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю., Эркабоев, У.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99825
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-99825
record_format dspace
spelling irk-123456789-998252016-05-05T03:02:05Z Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. Эркабоев, У.И. Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны. Досліджено вплив зміни ефективної маси носіїв зарядів на температурну залежність ширини забороненої зони в напівпровідниках. За допомогою чисельних експериментів, з використанням експериментальних результатів отримані графіки температурної залежності ширини забороненої зони. It is investigated influences of change of effective mass of carriers of charges on temperature dependence of width of the band gaps in semiconductors. By means of numerical experiments, with use of experimental results of a temperature drawing of temperature dependence of width of the band gaps. 2013 Article Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99825 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Исследовано влияние изменения эффективной массы носителей зарядов на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниках. С помощью численных экспериментов, с использованием экспериментальных результатов получены графики температурной зависимости ширины запрещенной зоны.
format Article
author Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
spellingShingle Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
Физическая инженерия поверхности
author_facet Гулямов, Г.
Шарибаев, Н.Ю.
Эркабоев, У.И.
author_sort Гулямов, Г.
title Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_short Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_full Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_fullStr Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_full_unstemmed Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey
title_sort влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-bi2-xsbxte3-ysey
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99825
citation_txt Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p-Bi2-xSbxTe3-ySey / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195–198. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT gulâmovg vliânieéffektivnojmassyplotnostisostoânijnatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennojzonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey
AT šaribaevnû vliânieéffektivnojmassyplotnostisostoânijnatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennojzonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey
AT érkaboevui vliânieéffektivnojmassyplotnostisostoânijnatemperaturnuûzavisimostʹširinyzapreŝennojzonyvtverdyhrastvorahpbi2xsbxte3ysey
first_indexed 2023-10-18T20:02:59Z
last_indexed 2023-10-18T20:02:59Z
_version_ 1796148610965962752