Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2012
• Автори: Akinlami, J.O., Olateju, I.O.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118322
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN / J.O. Akinlami, I.O. Olateju // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 281-284. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Here we report the reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride (GaN). The reflection coefficient obtained in the photon energy range 2–10 eV shows five distinct peaks at photon energies 3.5, 5.0, 7.0, 8.0, and 9.0 eV. It was observed that the reflection coefficient has its...