Evidence for photochemical transformations in porous silicon
The dynamics of the variation of photoluminescence intensity (PLI) of porous silicon (PS) samples subjected to laser irradiation (337 nm, 3.7 mW) during their ageing in air has been studied. The PLI turned out to increase rapidly under UV irradiation and to flatten out in several hours. The subseque...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119859 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Evidence for photochemical transformations in porous silicon / V.B. Shevchenko, V.A. Makara, O.V. Vakulenko, O.I. Dacenko, O.V. Rudenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |