Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
Экспериментально изучена квантовая емкость, напрямую характеризующая плотность состояний высокоподвижных дираковских двумерных состояний, образующихся на поверхности напряженной пленки HgTe. Показано, что наблюдаемые в магнитоемкости квантовые осцилляции, в отличие от осцилляций в магнитотранспорте...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | Козлов, Д.А., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Савченко, М.Л., Квон, З.Д., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А., Weiss, D. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/129432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe / Д.А. Козлов, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, М.Л. Савченко, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 4. — С. 537-545. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017) -
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017) -
Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg₁₋cO
за авторством: Чурманов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2017)