The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation
In the paper, the effect of the electric field on the conditions of formation and on the period of the surface superlattice of adatoms in n-GaAs semiconductor is investigated. It is established that in GaAs semiconductor, an
 increase in the electric field strength, depending on the directio...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2019
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157479 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv, S.K. Guba // Condensed Matter Physics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 13801: 1–15. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862588719207284736 |
|---|---|
| author | Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. Guba, S.K. |
| author_facet | Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. Guba, S.K. |
| citation_txt | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv, S.K. Guba // Condensed Matter Physics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 13801: 1–15. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | In the paper, the effect of the electric field on the conditions of formation and on the period of the surface superlattice of adatoms in n-GaAs semiconductor is investigated. It is established that in GaAs semiconductor, an
increase in the electric field strength, depending on the direction, leads to an increase or decrease of the critical
temperature (the critical concentration of adatoms), at which the formation of self-organized nanostructure is
possible. It is shown that in strongly alloyed n-GaAs semiconductor, an increase of the electric field strength
leads to a monotonous change (decrease or increase depending
У роботi дослiджено вплив електричного поля на умови формування та перiод поверхневої надгратки
адсорбованих атомiв у напiвпровiднику n-GaAs. Встановлено, що у напiвпровiднику GaAs збiльшення
напруженостi електричного поля залежно вiд напрямку призводить до збiльшення або зменшення критичної температури (критичної концентрацiї адатомiв), при якiй можливе формування самоорганiзованої наноструктури. Показано, що у сильнолегованому напiвпровiднику n-GaAs збiльшення напруженостi
електричного поля призводить до монотонної змiни (зменшення чи збiльшення залежно вiд напрямку
електричного поля) перiоду самоорганiзованих поверхневих наноструктур адатомiв.
|
| first_indexed | 2025-11-27T01:40:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-157479 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-27T01:40:38Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. Guba, S.K. 2019-06-20T03:52:47Z 2019-06-20T03:52:47Z 2019 The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv, S.K. Guba // Condensed Matter Physics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 13801: 1–15. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. 1607-324X PACS: 81.07.Bc, 66.30.Lw DOI:10.5488/CMP.22.13801 arXiv:1903.11601 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157479 In the paper, the effect of the electric field on the conditions of formation and on the period of the surface superlattice of adatoms in n-GaAs semiconductor is investigated. It is established that in GaAs semiconductor, an
 increase in the electric field strength, depending on the direction, leads to an increase or decrease of the critical
 temperature (the critical concentration of adatoms), at which the formation of self-organized nanostructure is
 possible. It is shown that in strongly alloyed n-GaAs semiconductor, an increase of the electric field strength
 leads to a monotonous change (decrease or increase depending У роботi дослiджено вплив електричного поля на умови формування та перiод поверхневої надгратки
 адсорбованих атомiв у напiвпровiднику n-GaAs. Встановлено, що у напiвпровiднику GaAs збiльшення
 напруженостi електричного поля залежно вiд напрямку призводить до збiльшення або зменшення критичної температури (критичної концентрацiї адатомiв), при якiй можливе формування самоорганiзованої наноструктури. Показано, що у сильнолегованому напiвпровiднику n-GaAs збiльшення напруженостi
 електричного поля призводить до монотонної змiни (зменшення чи збiльшення залежно вiд напрямку
 електричного поля) перiоду самоорганiзованих поверхневих наноструктур адатомiв. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation Вплив електричного поля на нуклеацiю нанометрової перiодичної структури адатомiв у напiвпровiднику GaAs пiд впливом лазерного опромiнення Article published earlier |
| spellingShingle | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. Guba, S.K. |
| title | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation |
| title_alt | Вплив електричного поля на нуклеацiю нанометрової перiодичної структури адатомiв у напiвпровiднику GaAs пiд впливом лазерного опромiнення |
| title_full | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation |
| title_fullStr | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation |
| title_full_unstemmed | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation |
| title_short | The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation |
| title_sort | effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in gaas semiconductor under the action of laser irradiation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157479 |
| work_keys_str_mv | AT peleshchakrm theeffectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT kuzykov theeffectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT dankivoo theeffectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT gubask theeffectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT peleshchakrm vplivelektričnogopolânanukleaciûnanometrovoíperiodičnoístrukturiadatomivunapivprovidnikugaaspidvplivomlazernogooprominennâ AT kuzykov vplivelektričnogopolânanukleaciûnanometrovoíperiodičnoístrukturiadatomivunapivprovidnikugaaspidvplivomlazernogooprominennâ AT dankivoo vplivelektričnogopolânanukleaciûnanometrovoíperiodičnoístrukturiadatomivunapivprovidnikugaaspidvplivomlazernogooprominennâ AT gubask vplivelektričnogopolânanukleaciûnanometrovoíperiodičnoístrukturiadatomivunapivprovidnikugaaspidvplivomlazernogooprominennâ AT peleshchakrm effectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT kuzykov effectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT dankivoo effectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation AT gubask effectoftheelectricfieldonthenucleationofthenanometerperiodicstructureofadatomsingaassemiconductorundertheactionoflaserirradiation |