Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации
Представлены результаты исследований процессов получения наноразмерных рельефных структур с использованием методов неорганической лазерной фотолитографии. Показана перспективность применения неорганических фоторезистов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования рельефны...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50430 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации / А.А. Крючин, С.А. Костюкевич // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 1. — С. 3-11. — Бібліогр.: 24 назв. — pос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860139856636674048 |
|---|---|
| author | Крючин, А.А. Костюкевич, С.А. |
| author_facet | Крючин, А.А. Костюкевич, С.А. |
| citation_txt | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации / А.А. Крючин, С.А. Костюкевич // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 1. — С. 3-11. — Бібліогр.: 24 назв. — pос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description | Представлены результаты исследований процессов получения наноразмерных рельефных структур с использованием методов неорганической лазерной фотолитографии. Показана перспективность применения неорганических фоторезистов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования рельефных наноструктур с размерами десятки нанометров, обобщен опыт использования неорганических фоторезистов в процессе мастеринга компакт-дисков.
Представлено результати досліджень процесів отримання нанорозмірних рельєфних структур з використанням методів неорганічної лазерної фотолітографії. Показано перспективність застосування неорганічних фоторезистів на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників для формування рельєфних наноструктур з розмірами десятки нанометрів, узагальнений досвід використання неорганічних фоторезистів у процесі мастерингу компакт-дисків.
The results of researches of formation processes of relief nanostructures by using methods of inorganic laser photolithography are presented. It is shown that the application of inorganic photoresists on the basis of chalcogenide vitreous semiconductors for forming relief nanostructures with the sizes of tens of nanometers is promising, experience of using of inorganic photoresists in the process of CD mastering is summarized.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:48:33Z |
| format | Article |
| fulltext |
Фізичні основи, принципи та методи
реєстрації даних
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 1 3
УДК 004.085
А. А. Крючин1, С. А. Костюкевич2
1Институт проблем регистрации информации НАН Украины
ул. Н. Шпака, 2, 03113 Киев, Украина
e-mail: kryuchin@ipri.kiev.ua; тел. (044) 454-21-52
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины
e-mail: sekret@spie.org.ua; тел. (044) 525-62-05
Анализ методов получения наноразмерных рельефных
структур на поверхности носителей информации
Представлены результаты исследований процессов получения нано-
размерных рельефных структур с использованием методов неоргани-
ческой лазерной фотолитографии. Показана перспективность приме-
нения неорганических фоторезистов на основе халькогенидных стек-
лообразных полупроводников для формирования рельефных наност-
руктур с размерами десятки нанометров, обобщен опыт использова-
ния неорганических фоторезистов в процессе мастеринга компакт-
дисков.
Ключевые слова: неорганический фоторезист, наноразмерные струк-
туры, диск-оригинал, фототермическое разрушение, прямой масте-
ринг.
Введение
Одним из основных методов создания дисковых носителей с плотностью за-
писи десятки Гбайт/мм2 является изготовление дисков-оригиналов с поверхност-
ной рельефной наноструктурой, с которых методом гальванопластики получают
штампы, используемые в производстве гранулированных магнитных регистри-
рующих сред и отражающих рельефно-фазовых информационных слоев дисковых
носителей [1, 2]. Требуемые значения плотности записи на поверхности дисков-
оригиналов могут быть достигнуты с использованием электронно-лучевых мето-
дов записи. Они позволили реализовать рекордные значения плотности записи [3,
4]. Однако, в настоящее время более технологичными, имеющими существенно
большую производительность, являются методы лазерной литографии для фор-
мирования наноразмерных структур на дисках-оригиналах.
Технологии, разрабатываемые для изготовления перспективных типов диско-
вых носителей, должны обеспечивать не только получение рекордных значений
© А. А. Крючин, С. А. Костюкевич
А. А. Крючин, С. А. Костюкевич
4
плотности записи, при которых размеры отпечатков составляют 10–30 нм, но и
запись информации на диски-оригиналы со скоростью сотни мегабит в секунду.
При этом желательно, чтобы время записи диска-оригинала емкостью десятки ги-
габайт было порядка одного часа. Скорости записи информации на диски-ориги-
налы возросли с 9,6 Мбит/с (8-кратная скорость записи данных в формате CD) до
22 Мбит/с (2-кратная скорость записи данных в формате DVD) и до 36 Мбит/с
(1-кратная скорость записи данных в формате BD).
Органические позитивные фоторезисты, которые широко используются в
процессе мастеринга оптических носителей CD и DVD, не могут обеспечить про-
цесс записи информации на диски-оригиналы в формате Blue-ray BD. Поэтому
актуальной задачей является разработка новых фоточувствительных материалов и
режимов записи наноразмерных структур.
Анализ технологий записи дисков-оригиналов
перспективных форматов
Запись информации лазерным излучением на диски-оригиналы в формате
Blue-ray, минимальный размер питов на которых составляет около 100 нм, связана
со значительными техническими сложностями. Дальнейшее уменьшение разме-
ров питов на дисках-оригиналах (до 30–50 нм) может быть достигнуто за счет
применения технологий, апробированных в нанолитографии, в которой уже ус-
пешно преодолен «нанобарьер» (100 нм), и на повестку дня поставлен вопрос о
промышленном освоении критического размера интегральных схем (22–32 нм) [5,
6]. К таким технологиям следует отнести: экспонирование поверхности диска-
оригинала излучением глубокого ультрафиолетового диапазона (DUV) и экстре-
мального ультрафиолета (EUV), применение иммерсионных систем записи (про-
гнозируется переход с «супериммерсии», которую обеспечат иммерсионные жид-
кости с показателем преломления n = 1,75) [5]. К недостаткам технологии иммер-
сионной записи следует отнести появление дополнительных ошибок, связанных с
выходом из жидкости пузырьков растворенных в ней газов атмосферы.
Для записи информации на диски-оригиналы в формате BD использовались
лазеры с длинами волн 257 нм (вторая гармоника излучения аргонового лазера) и
266 нм (четвертая гармоника неодимового лазера). В современных станциях ла-
зерной записи используются полупроводниковые лазеры с наименьшей длиной
волны 357 нм. Более коротковолновые лазеры (лазеры глубокого ультрафиолето-
вого диапазона — KrF2 с длиной волны 248 нм и ArF с длиной волны 193 нм) пока
не нашли применения в процессе мастеринга дисков-оригиналов. Это связано со
сложностью обеспечения необходимого качества лазерного луча и высокой ско-
рости записи эксимерными лазерами, трудностями выбора фоторезистов и созда-
ния малогабаритных объектов для этого спектрального диапазона [5].
Большое внимание как в разработке процесса лазерной записи дисков-ориги-
налов, так и в технологии нанолитографии, уделяется выбору фоторезистов, ре-
жимов записи и технологии их обработки для уменьшения в 4–6 раз размеров пи-
тов и воспроизводимых элементов топологического рисунка по сравнению с дли-
ной волны экспонирующего излучения.
В настоящее время для уменьшения размеров элементов, записываемых сфо-
Анализ методов получения
наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 1 5
кусированным лазерным излучением предлагается использовать неоднородность
распределения температуры в зоне фокусировки луча с гауссовым распределени-
ем интенсивности. Наблюдается резкое увеличение температуры в центре зоны
облучения. Авторами данной статьи такой метод уменьшения размеров отпечат-
ков для повышения плотности оптической записи информации было предложено
использовать более тридцати лет назад [7, 8]. Он показал свою эффективность
особенно при записи информации на фоточувствительных материалах с нелиней-
ной экспозиционной характеристикой [8, 9]. Использование лазерной термиче-
ской литографии позволяет существенно уменьшить размер отпечатков. Сообща-
лось о записи отпечатков с размерами 100 нм на неорганическом многослойном
регистрирующем материале, состоящем из слоя PtOx и термоизолирующих слоев,
лазерным излучением с длиной волны 405 нм, сфокусированным объективом с
числовой апертурой 0,85 в пятно диаметром 580 нм [10]. Для существенного
уменьшения размеров питов на дисках-оригиналах предлагается использовать
режим записи, при котором в зоне с температурой выше критической происходит
локальное удаление материала органического терморезиста за счет его локального
испарения (сублимации) [10]. Экспериментально была продиагностирована воз-
можность получения питов диаметром 40–60 нм при облучении терморезиста
сфокусированным пятном 580 нм [10].
Промышленно реализован вариант термооптической записи дисков-ориги-
налов в форматах DVD и Blue-ray на фоточувствительном материале «краситель–
полимер» [11]. Преимуществом этого метода записи по сравнению с технология-
ми фоторезистного мастеринга является формирование рельефного изображения
непосредственно в процессе облучения, с другой стороны, наличие на поверхно-
сти диска-оригинала материала фоточувствительного слоя, удаленного из зоны
облучения, снижает разрешающую способность этого метода.
Режим записи отпечатков на пороговом фото(термо)чувствительном мате-
риале, размер которых существенно меньше диаметра луча записи, характерен
тем, что незначительные изменения плотности энергии экспонирующего излуче-
ния приводят к существенно большим изменениям записываемых отпечатков.
Использование такого режима записи предполагает использование высокоточных
систем фокусировки лазерного излучения и применения подложек дисков-ориги-
налов с минимальными торцевыми биениями.
Лазерная литография на тонких пленках
халькогенидных полупроводников
Неорганические фоторезисты на основе халькогенидных стеклообразных по-
лупроводников широко используются при изготовлении штампов для тиражиро-
вания компакт-дисков (РТМ-технология) [12]. Это связано с тем, что они имеют
высокую чувствительность в ультрафиолетовом диапазоне длин волн (200–400
нм) и позволяют записывать информацию короткими (10–30 нс) импульсами ла-
зерного излучения. В технологии РТМ используется фазовый переход между
аморфной и кристаллической фазой, который происходит в области температур
выше пороговой, что дает возможность уменьшить размер записываемых отпе-
чатков по сравнению с диаметром сфокусированного луча записи. Технология
А. А. Крючин, С. А. Костюкевич
6
РТМ позволяет использовать для записи дисков-оригиналов в формате BD излу-
чение с длиной волны 375 нм.
Для изготовления дисков-оригиналов нами были выбраны неорганические
фоторезисты на основе ХСП, в которых под действием лазерного излучения про-
исходят фотоструктурные превращения в тонких пленках ХСП. Нами был пред-
ложен и исследован ряд неорганических фоторезистов, которые обеспечивают за-
пись информации на диски-оригиналы с высокой скоростью, имеют высокую се-
лективность травления и технологичны в получении и применении. В отличие от
органических фоторезистов для неорганических фоторезистов на основе ХСП на-
блюдается увеличение фоточувствительности при экспонировании короткими
импульсами лазерного излучения. Этот эффект наблюдался и интерпретировался
многими исследователями [8, 9]. Одной из причин повышения чувствительности
при импульсном экспонировании является локальный нагрев фоторезиста, кото-
рый приводит к повышению скорости фотоструктурных превращений. Локальный
нагрев фоторезиста в зоне облучения излучением с неоднородным распределе-
нием интенсивности позволяет выбором режимов записи уменьшить размер отпе-
чатков на требуемую величину. Использование таких фоторезистов позволило
осуществлять запись рельефных изображений с шириной элементов 0,3–0,8 мкм
[13], изготовить штампы для тиражирования компакт-дисков с использованием
позитивных неорганических фоторезистов [14].
Для описания процесса записи информации сфокусированным лазерным из-
лучением на тонких пленках халькогенидных полупроводников, в которых на-
блюдаются фотоструктурные превращения, может быть использована модель,
предложенная авторами в [15–17], позволяющая определить форму отпечатков и
питов в слое неорганического фоторезиста.
Использование неорганических фоторезистов на дисках-оригиналах требует
точного определения мощности и продолжительности импульсов лазерного излу-
чения, времени травления и концентрации травителя для получения необходимой
формы питов. Форма и глубина питов зависит от многих факторов. Среди них са-
мыми важными являются:
— коэффициент поглощения света;
— зависимость скорости растворимости от экспозиции;
— распределение экспозиции.
В общем случае скорость растворимости W(x, y, z, t) относительно от экспо-
зиции для конкретного травителя определяется уравнением
W(x, y, z, t) = V(E), (1)
где Е — энергия фотонов.
Функция V(E) определяется по экспериментальным данным. Для моделиро-
вания процессов образования питов на пленках ХСП может использоваться ли-
нейная функция V(E).
Уравнение для определения скорости растворимости пленки для линейной
функции V(E) в каждой точке с координатами (x, y, z) имеет вид:
W(x, y, t) = V(E) I(x, y, t), (2)
Анализ методов получения
наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 1 7
где I(x, y, t) — функция распределения интенсивности экспонирующего излучения.
Оптическое поглощение сфокусированного лазерного луча определяется за-
коном Бугера-Ламберга-Бера
( , , , )
( , , , ) ( , , , ).
I x y z t
x y z t i x y z t
z
(3)
Здесь I(x, y, 0, t) — интенсивность сфокусированного гауссового луча на поверх-
ности слоя z = 0.
Коэффициент поглощения a может быть представлен в виде:
a(x, y, z, t) = a0 (1 – M(x, y, z, t )) + ap M(x, y, z, t), (4)
где a0 — коэффициент поглощения первичной фазы ХСП; ap — коэффициент по-
глощения трансформированной фазы ХСП; M — часть трансформированной фазы.
Распределение интенсивности сфокусированного гауссового луча в пленке
ХСП (z > 0) зависит от распределения трансформированной фазы M (x, y, z, t):
I(x, y, z, t) = I(z, y, 0, t) exp
z
p dtyxMaaza
0
00 ),,,()( . (5)
Пространственное распределение фототрансформированного материала M(x,
y, z, t) может быть рассчитано из уравнения Колмогорова-Аврами:
M(x, z, t) = 1 – exp .
),,,(
exp),,,(
1
0
0
zyxTk
E
zyxI
d
Bm
(6)
Температура M(x, z, t) = T0 + ),,,( tzyxT фоточувствительного материала во
время экспонирования определяется поглощением света:
2 2 2
2 2 2
( , , , ),
( 0)
( 0) 0, 0.
T T T
T I x y z t
t x y z
T z
T t
z
(7)
Нагрев способствует повышению скорости структурных преобразований в
соответствии с активационными законами.
При условии малой мощности экспонирующего лазерного луча форма сече-
ния фототрансформированной области As40S60 приближается к параболической.
Увеличение мощности излучения (в этом случае ap > a0) меняет форму трансфор-
мированной области — она приближается к равнобедренной трапеции.
Приведенный анализ формы питов после экспонирования и селективного тра-
А. А. Крючин, С. А. Костюкевич
8
вления на неорганическом фоторезисте As40S60 и сравнение их с расчетными фо-
тотрансформированными областями показал, что форму фототрансформирован-
ной области можно рассматривать как приближенную форму пита.
Для получения рельефных микроизображений на поверхности диска-ориги-
нала с неорганическим фоторезистом необходимо осуществлять селективное хи-
мическое травление [14, 18, 19]. Нами для получения рельефных микроизображе-
ний использовались травители для халькогенидного стекла на основе диметил-
сульфоксида [19]. Получение дисков-оригиналов с высокой однородностью и
строго заданным значением дифракционной эффективности может быть получено
только при использовании контроля процесса травления по достигнутому значе-
нию дифракционной эффективности [20].
Проведенные эксперименты по записи информации сфокусированным лазер-
ным излучением с длиной волны 405 нм (апертура фокусирующего объектива со-
ставляла 0,6) показали, что на поверхности диска-оригинала в зависимости от
мощности экспонирующего излучения могут быть получены отпечатки шириной
от 0,1 мкм до 0,3 мкм (см. таблицу).
Экспериментальные значения ширины отпечатков на поверхности
диска-оригинала с неорганическим резистом As40S60
Мощность экспонирующего излучения, мВт Ширина отпечатка, мкм
2 0,18
3 0,28
6 0,62
Общий вид поверхности диска-оригинала после обработки слоя неорганиче-
ского фоторезиста в селективном травителе и поперечное сечение отпечатков
представлены на рисунке.
а) б)
Поверхность записанного диска-оригинала после обработки селективным травителем
(Рзаписи = 3 мВт): а) общий вид поверхности диска-оригинала;
б) поперечное сечение записанных отпечатков
Анализ методов получения
наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 1 9
При выборе режимов записи особое внимание необходимо было уделять экс-
понированию отпечатков минимальной длины. Применение для записи фокуси-
рующей системы с большой разрешающей способностью позволит на 30 % уме-
ньшить размер записываемых отпечатков.
Анализ перспектив использования неорганических резистов
для изготовления дисков-оригиналов
Неорганические фоторезисты имеют существенно большую механическую и
термическую прочность по сравнению с органическими фоторезистами, что по-
зволяет рассматривать их в качестве перспективного материала для реализации
прямого мастеринга в процессе изготовления штампов для тиражирования ком-
пакт-дисков [15]. Для повышения количества отпечатков, получаемых с таких
штампов, может быть использована технология, предложенная для повышения
эксплуатационных характеристик никелевых штампов с негативными органиче-
скими фоторезистами, а именно металлизация рельефной микроструктуры слоем
никеля [21]. На основе тонких пленок халькогенидных полупроводников могут
быть получены как позитивные, так и негативные фоторезисты, однако для нега-
тивных фоторезистов получена более высокая селективность травления, что по-
зволяет изготавливать штампы с использованием негативных фоторезистов более
высокого качества.
Получение рельефных микро- и наноструктур на слоях неорганических фото-
резистов с фотоструктурными превращениями связано в основном с использова-
нием жидкостных методов селективного травления фоторезиста. Неорганические
фоторезисты используются достаточно широко в качестве защитных слоев в про-
цессе ионного травления, в том числе при изготовлении голограммных дифракци-
онных элементов [22, 23]. Незначительные изменения электропроводности тонких
пленок ХСП при фотоструктурных превращениях затрудняют реализацию про-
цессов ионно-плазменного селективного травления неорганических фоторезистов.
Большими возможностями для ионного травления обладают неорганические фо-
торезисты на основе ХСП, в которых наблюдается в процессе экспонирования пе-
реход между поликристаллической и аморфной фазами, приводящий к изменению
проводимости на несколько порядков [24].
Выводы
1. Предложен и использован ряд неорганических фоторезистов, в которых
под действием сфокусированного лазерного излучения наблюдаются фотострук-
турные превращения. На предложенных неорганических фоторезистах могут быть
получены рельефные изображения шириной 100–150 нм при экспонировании
дисков-оригиналов излучением с длиной волны 405 нм (апертура фокусирующего
объектива 0,85).
2. Показана возможность реализации прямого мастеринга с использованием
неорганических фоторезистов.
3. Определены режимы записи на тонких пленках халькогенидных полупро-
водников, при которых удается получить линейный размер отпечатков в 2–4 раза
А. А. Крючин, С. А. Костюкевич
10
меньше диаметра сфокусированного лазерного луча, и не наблюдается локальное
фототермическое разрушение фоторезиста.
Благодарности
Авторы выражают глубокую благодарность сотрудникам Институтов про-
блем регистрации информации НАН Украины и физики полупроводников им.
В.Е. Лашкарева НАН Украины за помощь в изготовлении образцов носителей
информации, осуществлении записи информации и их последующей обработки, а
также за плодотворное обсуждение результатов исследований.
1. Practical Electron Beam Recorder for High-Density Optical and Magnetic Disk Mastering / H.
Kitahara, Y. Kojima, M. Kobayashi [et al] // Jap. J. Appl. Phys. — 2006. — Vol. 45, N 2B. — P. 1401–
1406.
2. Katsuyuki Naito. Ultra-Density Storage Media Prepared by Artificially Assisted Self-
Assembling Methods / Katsuyuki Naito // Chaos. — 2006. — Vol. 15, N 4. — P. 047507/1–047507/5.
3. Electron Beam Recorder with Nanometer-Scale Accuracy for 100 Gbit/in2 Density Mastering /
H. Kitahara, Y. Ozawy, A. Masafumi [et al] // Jap. J. Appl. Phys. — 2004. — Vol. 43, N 7B. — P. 5068–
5073.
4. Nano-Dot and -Pit Arrays with a Pitch of 25 nm 25 nm Fabricated by EB Drawing, RIE and
Nano-Imprinting for 1 Tb/in2 Storage / S. Hosaka, Z. Mohamad, M. Shirai [et al] // Microelectronic
Engineering. — 2008. — Vol. 85. — P. 774–777.
5. Бельский А.Б. Перспективы развития оптических систем для нанолитографии / А.Б. Бель-
ский, М.А. Ган, И.А. Миронов, Р.Н. Сейсян // Оптический журнал. — 2009. — Т. 76, № 2. —
С. 59–56.
6. Бобков С.Г. Проблемы перехода микроэлектроники в субстананометровую область разме-
ров. Ч. 1. Общие положения и возможности литографических и нелитографических методов фор-
мирования топологии / С.Г. Бобков, В.Ю. Киреев // Нано- и микросистемная техника. — 2007. —
№ 5. — С. 11–21.
7. Крючин А.А. Влияние нелинейности регистрирующей среды на плотность записи инфор-
мации в оптических запоминающих устройствах / А.А. Крючин, В.В. Петров // Квантовая элек-
троника. — 1997. — Т. 4, № 1. — С. 188–190.
8. Петров В.В. О светочувствительности систем на основе стеклообразных халькогенидных
полупроводников при высокой мощности облучения / В.В. Петров, А.А. Крючин // Квантовая
электроника. — 1974. — Т. 1, № 12. — С. 2618–2620.
9. Костышин М.Т. Поведение светочувствительной системы Ag-As2S3 при облучении им-
пульсным лазерным излучением большой мощности / М.Т. Костышин, С.А. Костюкевич // Укр.
физ. журн. — 1981. — Т. 26, №. 9. — С. 1561–1563.
10. 405 nm Laser Thermal Lithography of 40 nm Pattern Using Super Resolution Organic Resist
Material / Y. Usami, T. Watanabe, Y. Kanazawa [et al] // Applied Physics Express. — 2009. — 2. — P.
126502/1–126502/3.
11. Wilkinson R.L. DVD Mastering Using Dye Polymer Media / R.L. Wilkinson // Optical Data
Storage Topical Meeting, 1997. ODS. Conference Digest. —1997, 7–9 Apr. — P. 90–91.
12. Kashiwagi. PTM: an Alternative Solution to Mastering Blue-Ray Disc / Kashiwagi // One Tone.
— 2004. — N 8. — P. 57–60.
Анализ методов получения
наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации
ISSN 1560-9189 Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2010, Т. 12, № 1 11
13. Костюкевич С.О. Лазерний запис рельєфних мікроструктур на шарах As40S40Se20 / С.О.
Костюкевич, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 1999. —
Т. 1, № 2. — С. 19–24.
14. Петров В.В. Неорганічна фотолітографія. Монографія / В.В. Петров, А.А. Крючин, С.О.
Костюкевич, В.М. Рубіш / Нац. акад. наук України, Ін-т проблем реєстрації інформації, Ін-т фізики
напівпровідників. — К.: ІМФ НАНУ, 2007. — 195 с.
15. Исследование процесса мастеринга компакт-дисков на неорганических фоторезистах /
С.А. Костюкевич, П.Е. Шепелявый, Р.А. Москаленко [и др.] // Реєстрація, зберігання і оброб. да-
них. — 2001. — Т. 3, № 4. — С. 5–11.
16. Запись информации в тонких слоях халькогенидных полупроводников, основанная на
фотоиндуцированных преобразованиях / С.А. Костюкевич, А.Н. Морозовская, П.E. Шепелявий [и
др.] // Оптический журнал. — 2005. — Т. 72, № 5. — С. 76–80.
17. Investigation of the Process for Manufacturing Optoelectronic Devices Using Non-Organic
Photoresists / S.A. Kostyukevych, A.A. Kryuchyn, A.N. Morozovska [et al.] // Proc. of SPIE. — 2005. —
Vol. 5713. — P.43–53.
18. Mamedov S. Calculation of Etching Profile in the Photolithographic Process on As2S3 thin Films
/ S. Mamedov // J. Vac. Sci. Technol. B. — 1996. — Vol. 14, N 3. — P. 1864–1866.
19. Пат. 34995 Україна. МПК7 С03С 15/00. Спосіб приготування негативного селективного
травника для резистних шарів халькогенідного скла As2S3 / Є.Ф. Венгер, С.О. Костюкевич, П.Є.
Шепелявий [та ін.]; заявл.27.07.99; опубл. 15.09.03. — Бюл. № 9.
20. Ken C. Pohlmann. The Compact Disc Handbook. — 2-nd еd., 1992.
21.Snape C.A. CD: Still Generating Business for In-House Mastering Equipment / C.A. Snape //
One to One. — 2003. — N 6. — P. 47–54.
22. Корешев С.Н. Голографическая фотолитография на основе тонких пленок халькогенид-
ного стеклообразного полупроводника / С.Н. Корешев, А.В. Белых, В.П. Ратушный // Оптический
журнал. — 2007. — Т. 74, № 7. — С. 80–85.
23. Знаменский М.Ю. Ионное травление голограммных дифракционных решеток на слоях
халькогенидных стекол / М.Ю. Знаменский, Ф.А. Саттаринов // Оптический журнал. — 2007. —
Т. 74, № 6. — С. 51–54.
24. Terao M. Electrical Phase-Change Memory: Fundamentals and State of the Art / M. Terao, T.
Morikawa, T. Ohta // Jap. J.Appl. Phys. — 2009. — Vol. 48, N 8. — P. 080001/1–080001/4.
Поступила в редакцию 22.02.2010
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-50430 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-9189 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:48:33Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Крючин, А.А. Костюкевич, С.А. 2013-10-20T19:00:25Z 2013-10-20T19:00:25Z 2010 Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации / А.А. Крючин, С.А. Костюкевич // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2010. — Т. 12, № 1. — С. 3-11. — Бібліогр.: 24 назв. — pос. 1560-9189 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50430 004.085 Представлены результаты исследований процессов получения наноразмерных рельефных структур с использованием методов неорганической лазерной фотолитографии. Показана перспективность применения неорганических фоторезистов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников для формирования рельефных наноструктур с размерами десятки нанометров, обобщен опыт использования неорганических фоторезистов в процессе мастеринга компакт-дисков. Представлено результати досліджень процесів отримання нанорозмірних рельєфних структур з використанням методів неорганічної лазерної фотолітографії. Показано перспективність застосування неорганічних фоторезистів на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників для формування рельєфних наноструктур з розмірами десятки нанометрів, узагальнений досвід використання неорганічних фоторезистів у процесі мастерингу компакт-дисків. The results of researches of formation processes of relief nanostructures by using methods of inorganic laser photolithography are presented. It is shown that the application of inorganic photoresists on the basis of chalcogenide vitreous semiconductors for forming relief nanostructures with the sizes of tens of nanometers is promising, experience of using of inorganic photoresists in the process of CD mastering is summarized. Авторы выражают глубокую благодарность сотрудникам Институтов проблем регистрации информации НАН Украины и физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины за помощь в изготовлении образцов носителей информации, осуществлении записи информации и их последующей обработки, а также за плодотворное обсуждение результатов исследований. ru Інститут проблем реєстрації інформації НАН України Реєстрація, зберігання і обробка даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации Аналіз методів отримання нанорозмірних рельєфних структур на поверхні носіїв інформації Analysis of Methods of Forming Relief Nanostructures on the Surface of Data Carriers Article published earlier |
| spellingShingle | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации Крючин, А.А. Костюкевич, С.А. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| title | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
| title_alt | Аналіз методів отримання нанорозмірних рельєфних структур на поверхні носіїв інформації Analysis of Methods of Forming Relief Nanostructures on the Surface of Data Carriers |
| title_full | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
| title_fullStr | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
| title_full_unstemmed | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
| title_short | Анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
| title_sort | анализ методов получения наноразмерных рельефных структур на поверхности носителей информации |
| topic | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| topic_facet | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/50430 |
| work_keys_str_mv | AT krûčinaa analizmetodovpolučeniânanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnapoverhnostinositeleiinformacii AT kostûkevičsa analizmetodovpolučeniânanorazmernyhrelʹefnyhstrukturnapoverhnostinositeleiinformacii AT krûčinaa analízmetodívotrimannânanorozmírnihrelʹêfnihstrukturnapoverhnínosíívínformacíí AT kostûkevičsa analízmetodívotrimannânanorozmírnihrelʹêfnihstrukturnapoverhnínosíívínformacíí AT krûčinaa analysisofmethodsofformingreliefnanostructuresonthesurfaceofdatacarriers AT kostûkevičsa analysisofmethodsofformingreliefnanostructuresonthesurfaceofdatacarriers |