Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
Предложена экспериментально-расчетная методика определения напряжений, падающих на каждом из переходов трехбарьерной структуры. Результаты могут быть использованы для оценки параметров структуры....
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Authors: | Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Болтаева, Ш.Ш., Зоирова, Л.Х. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52967 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Болтаева, Л.Х. Зоирова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 30-35. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2006) -
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015) -
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2005) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2009)