Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей. Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резо...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7605 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp. |