Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів

Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей. Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Реєстрація, зберігання і обробка даних
Date:2008
Main Author: Свірін, П.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2008
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7605
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей. Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей. Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonanttunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made.
ISSN:1560-9189