Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів

• Опубліковано в: : Реєстрація, зберігання і обробка даних
• Дата: 2008
• Автор: Свірін, П.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2008
• Теми: Технічні засоби отримання і обробки даних
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7605
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp.

Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей. Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей. Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonanttunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made.