Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів

Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей. Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резо...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Реєстрація, зберігання і обробка даних
Datum:2008
1. Verfasser: Свірін, П.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2008
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7605
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей. Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей. Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonanttunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made.
ISSN:1560-9189