Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2011
• Автори: Абдулхаев, О.А., Асанова, Г.О., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н., Каримов, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2011
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76898
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур / О.А. Абдулхаев, Г.О. Асанова, Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов, А.В. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 3. — С. 262–268. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие свойств встречновключенных потенциальных барьеров приводит к изменению полевых...