Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем
Целью настоящей работы является исследование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, как высокоэффективного средства для нанесения алмазной пленки и роста отдельных кристаллов алмаза, а также обсуждение процессов роста кристаллов алмаза и синтеза сплошной алмазной пленки на подложках и...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/78213 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Синтез алмазных покрытий в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем / О.А. Опалев, В.К. Пашнев, И.К. Ковальчук, В.Е. Стрельницкий, В.А. Белоус, З.И. Колупаева // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 4. — С. 158-164. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |