Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se

Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фото...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Реєстрація, зберігання і обробка даних
Datum:2013
Hauptverfasser: Индутный, И.З., Крючин, А.А., Бородин, Ю.А., Данько, В.А., Луканюк, М.В., Минько, В.И., Шепелявый, П.Е., Гера, Э.В., Рубиш, В.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут проблем реєстрації інформації НАН України 2013
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87082
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se / И.З. Индутный, А.А. Крючин, Ю.А. Бородин, В.А. Данько, М.В. Луканюк, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый, Э.В. Гера, В.М. Рубиш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2013. — Т. 15, № 4. — С. 3-12. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe₃. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe₂) не позволяет получать микрорельефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким содержанием Se (GeSe₈) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорельефных структур при записи информации на диски-оригиналы. The results of experimental studies on recording of micro-relief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photo-resist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the micro-relief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorganic photo-resists of GeSe₃. Increase of the germanium content (when studied composition GeSe₂) did not allow getting the micro-relief structures with depth required for the manufacture of master disks used in the manufacturing of DVD and BD disks. The films with a high content of Se (GeSe₈) are characterized by the presence of crystalline inclusions, and can not be applied for the micro-relief structures for recording information on disks-originals.
ISSN:1560-9189