Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se
Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фото...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87082 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Оптическая запись микро- и наноразмерных рельефных структур на неорганических резистах Ge-Se / И.З. Индутный, А.А. Крючин, Ю.А. Бородин, В.А. Данько, М.В. Луканюк, В.И. Минько, П.Е. Шепелявый, Э.В. Гера, В.М. Рубиш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2013. — Т. 15, № 4. — С. 3-12. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Представлены результаты экспериментальных исследований по записи микрорельефных структур сфокусированным лазерным излучением с длиной волны 405 нм на пленках неорганических фоторезистов системы Ge - Se. Показано, что микрорельефные структуры глубиной 100 нм могут быть получены на неорганических фоторезистах состава GeSe₃. Увеличение содержания германия (исследовался состав GeSe₂) не позволяет получать микрорельефные структуры с глубиной рельефа, необходимой для изготовления дисков-оригиналов, используемых в производстве DVD и BD компакт-дисков. Пленки с высоким содержанием Se (GeSe₈) характеризуются наличием кристаллических включений и не могут быть использованы для получения микрорельефных структур при записи информации на диски-оригиналы.
The results of experimental studies on recording of micro-relief structures using a focused laser radiation with a wavelength of 405 nm to photo-resist films of inorganic system Ge-Se have been presented. It is shown that the micro-relief structures having depth of 100 nm can be obtained on the inorganic photo-resists of GeSe₃. Increase of the germanium content (when studied composition GeSe₂) did not allow getting the micro-relief structures with depth required for the manufacture of master disks used in the manufacturing of DVD and BD disks. The films with a high content of Se (GeSe₈) are characterized by the presence of crystalline inclusions, and can not be applied for the micro-relief structures for recording information on disks-originals.
|
|---|---|
| ISSN: | 1560-9189 |