Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers
This paper concerns with investigation of the trimming process which uses ion beam etching for high-precision
 adjustment of the thickness of functional microelectronics layers. The layer deposited on the substrate is etched by
 scanning focused ion beam; its position and power is re...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90892 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers / A.A. Bizyukov, I.A. Bizyukov, O.I. Girka, K.N. Sereda, V.V. Sleptsov, M. Gutkin, S. Mishin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 1. — С. 110-112. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862535040998572032 |
|---|---|
| author | Bizyukov, A.A. Bizyukov, I.A. Girka, O.I. Sereda, K.N. Sleptsov, V.V. Gutkin, M. Mishin, S. |
| author_facet | Bizyukov, A.A. Bizyukov, I.A. Girka, O.I. Sereda, K.N. Sleptsov, V.V. Gutkin, M. Mishin, S. |
| citation_txt | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers / A.A. Bizyukov, I.A. Bizyukov, O.I. Girka, K.N. Sereda, V.V. Sleptsov, M. Gutkin, S. Mishin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 1. — С. 110-112. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | This paper concerns with investigation of the trimming process which uses ion beam etching for high-precision
adjustment of the thickness of functional microelectronics layers. The layer deposited on the substrate is etched by
scanning focused ion beam; its position and power is regulated according to the topography of layer non-uniformity.
The trimming allows to create pre-defined topography of the non-uniformity with accuracy down to 4 Å and decrease
the roughness of the surface.
Досліджено процес коригувального іонно-променевого травлення для регулювання з високою точністю товщини функціональних шарів мікроелектроніки. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідають топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показана можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні.
Исследован процесс корректирующего ионно-лучевого травления для регулировки с высокой точностью толщины функциональных слоев микроэлектроники. Функциональный слой на подложке травится сканирующим сфокусированным ионным пучком, локализация и мощность которого соответствуют топографии неоднородности толщины функционального слоя. Показана возможность регулировки распределения толщины пленок по поверхности подложек до +/-4 Å и уменьшения шероховатости поверхности.
|
| first_indexed | 2025-11-24T08:44:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-90892 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T08:44:52Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Bizyukov, A.A. Bizyukov, I.A. Girka, O.I. Sereda, K.N. Sleptsov, V.V. Gutkin, M. Mishin, S. 2016-01-05T18:25:47Z 2016-01-05T18:25:47Z 2011 Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers / A.A. Bizyukov, I.A. Bizyukov, O.I. Girka, K.N. Sereda, V.V. Sleptsov, M. Gutkin, S. Mishin // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 1. — С. 110-112. — Бібліогр.: 3 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.40.Hf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90892 This paper concerns with investigation of the trimming process which uses ion beam etching for high-precision
 adjustment of the thickness of functional microelectronics layers. The layer deposited on the substrate is etched by
 scanning focused ion beam; its position and power is regulated according to the topography of layer non-uniformity.
 The trimming allows to create pre-defined topography of the non-uniformity with accuracy down to 4 Å and decrease
 the roughness of the surface. Досліджено процес коригувального іонно-променевого травлення для регулювання з високою точністю товщини функціональних шарів мікроелектроніки. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідають топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показана можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні. Исследован процесс корректирующего ионно-лучевого травления для регулировки с высокой точностью толщины функциональных слоев микроэлектроники. Функциональный слой на подложке травится сканирующим сфокусированным ионным пучком, локализация и мощность которого соответствуют топографии неоднородности толщины функционального слоя. Показана возможность регулировки распределения толщины пленок по поверхности подложек до +/-4 Å и уменьшения шероховатости поверхности. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Низкотемпературная плазма и плазменные технологии Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers Іонно-променева система нанорозмірного полірування функціональних шарів мікроелектроніки Ионно-лучевая система наноразмерной полировки функциональных слоев микроэлектроники Article published earlier |
| spellingShingle | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers Bizyukov, A.A. Bizyukov, I.A. Girka, O.I. Sereda, K.N. Sleptsov, V.V. Gutkin, M. Mishin, S. Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| title | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers |
| title_alt | Іонно-променева система нанорозмірного полірування функціональних шарів мікроелектроніки Ионно-лучевая система наноразмерной полировки функциональных слоев микроэлектроники |
| title_full | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers |
| title_fullStr | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers |
| title_full_unstemmed | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers |
| title_short | Ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers |
| title_sort | ion beam system for nanotrimming of functional microelectronics layers |
| topic | Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| topic_facet | Низкотемпературная плазма и плазменные технологии |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/90892 |
| work_keys_str_mv | AT bizyukovaa ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT bizyukovia ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT girkaoi ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT seredakn ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT sleptsovvv ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT gutkinm ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT mishins ionbeamsystemfornanotrimmingoffunctionalmicroelectronicslayers AT bizyukovaa íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT bizyukovia íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT girkaoi íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT seredakn íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT sleptsovvv íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT gutkinm íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT mishins íonnopromenevasistemananorozmírnogopolíruvannâfunkcíonalʹnihšarívmíkroelektroníki AT bizyukovaa ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki AT bizyukovia ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki AT girkaoi ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki AT seredakn ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki AT sleptsovvv ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki AT gutkinm ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki AT mishins ionnolučevaâsistemananorazmernoipolirovkifunkcionalʹnyhsloevmikroélektroniki |