Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу

• Datum: 2020
• Hauptverfasser: Осадчук, Александр Владимирович, Осадчук, Володимир Степанович, Осадчук, Ярослав Александрович
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Vinnytsia National Technical University 2020
• Schlagworte: напівпровідникові сенсори газу; газореактівний ефект; реактивні властивості напівпровідників; повний опір; приповерхневий шар
• Online Zugang: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560
• Назва журналу: Optoelectronic Information-Power Technologies

In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a...