Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a...
Saved in:
| Date: | 2020 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Vinnytsia National Technical University
2020
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Optoelectronic Information-Power Technologies |