Зображення обкладинки

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si

Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelect...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Kozyrev, Yu. M., Rubezhanska, M. Yu., Storozhuk, N. P., Kondratenko, S. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011
Онлайн доступ:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Схожі ресурси

Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
за авторством: Kozachenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Написання слів, утворених від абревіатур
за авторством: Городенська, К.
Опубліковано: (2010)

Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
за авторством: Litovchenko, V. G.
Опубліковано: (2019)

Властивості періодичних структур, утворених впоряд-куванням наночастинок срібла в полімерній матриці методом голографічної літографії
за авторством: Hryn, V. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Фото вбрання
Опубліковано: (2003)

Фото вбрання
Опубліковано: (2004)

Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
за авторством: Венгер, Є.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Моделювання світіння зони H II, що оточує область зореутворення, з урахуванням еволюції структур, утворених супервітром
за авторством: Кошмак, І.О., та інші
Опубліковано: (2017)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Економіко-математична модель формально утворених цін в електроенергетиці
за авторством: Dobrovolsky V.K.
Опубліковано: (2000)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
за авторством: Кондрат, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001)

Особливості геолого-економічної оцінки відходів, утворених при видобуванні та переробці корисних копалин
за авторством: Коржнев, М.М., та інші
Опубліковано: (2008)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

ТермоЕРС і електропровідність твердих розчинів кобальтитів-галатів лантану і неодиму
за авторством: Лубинський, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2009)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)

Статистическая теория фото- и электрополимеризации фуллеренов
за авторством: Загинайченко, С.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Статистическая теория фото- и электрополимеризации фуллеренов
за авторством: Загинайченко, С.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Игорь Семенович Кон: фото, комментарии, переписка
за авторством: Паниотто, В.
Опубліковано: (2011)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)