Cover Image

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si

Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelect...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2011
Main Authors:	Kozyrev, Yu. M., Rubezhanska, M. Yu., Storozhuk, N. P., Kondratenko, S. V.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011
Online Access:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Similar Items

Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
by: Kozachenko, V.V., et al.
Published: (2022)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
by: Lysenko, V.S., et al.
Published: (2021)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
by: Kozyrev, Yu.N., et al.
Published: (2008)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
by: Afanasieva, T.V., et al.
Published: (2022)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2017)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2017)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
by: Ye. Ye. Melnichuk, et al.
Published: (2014)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
by: V. S. Lysenko, et al.
Published: (2012)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
by: Melnichuk, Ye.Ye., et al.
Published: (2014)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
by: V. S. Lysenko, et al.
Published: (2012)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
by: V. S. Lysenko, et al.
Published: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
by: Lysenko, V.S., et al.
Published: (2015)

Написання слів, утворених від абревіатур
by: Городенська, К.
Published: (2010)

Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
by: Litovchenko, V. G.
Published: (2019)

Властивості періодичних структур, утворених впоряд-куванням наночастинок срібла в полімерній матриці методом голографічної літографії
by: Hryn, V. O., et al.
Published: (2018)

Фото вбрання
Published: (2003)

Фото вбрання
Published: (2004)

Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
by: Венгер, Є.Ф., et al.
Published: (2012)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
by: Yu. M. Kozyriev, et al.
Published: (2016)

Моделювання світіння зони H II, що оточує область зореутворення, з урахуванням еволюції структур, утворених супервітром
by: Кошмак, І.О., et al.
Published: (2017)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
by: Козирев, Ю.М., et al.
Published: (2010)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
by: Nikolenko, A.S., et al.
Published: (2006)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
by: S. V. Kondratenko
Published: (2015)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
by: Horvath, Zs.J., et al.
Published: (2004)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
by: Kondratenko, S.V.
Published: (2015)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
by: Deibuk, V.G., et al.
Published: (2002)

Економіко-математична модель формально утворених цін в електроенергетиці
by: Dobrovolsky V.K.
Published: (2000)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
by: Кондрат, А.Б., et al.
Published: (2001)

Особливості геолого-економічної оцінки відходів, утворених при видобуванні та переробці корисних копалин
by: Коржнев, М.М., et al.
Published: (2008)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2005)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
by: M. I. Terebinska, et al.
Published: (2021)

ТермоЕРС і електропровідність твердих розчинів кобальтитів-галатів лантану і неодиму
by: Лубинський, Н.Н., et al.
Published: (2009)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)

Статистическая теория фото- и электрополимеризации фуллеренов
by: Загинайченко, С.Ю., et al.
Published: (2009)

Статистическая теория фото- и электрополимеризации фуллеренов
by: Загинайченко, С.Ю., et al.
Published: (2012)

Игорь Семенович Кон: фото, комментарии, переписка
by: Паниотто, В.
Published: (2011)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
by: Комник, Ю.Ф., et al.
Published: (2006)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
by: Gomeniuk, Y.V., et al.
Published: (1999)