Зображення обкладинки

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›

The processes of formation of nanosized defects on the surfaces of layered crystals and the formation of semi-conductor nanostructures on them have been studied. The atomic force microscopy method for examination of the surface morphological characteristics has been used. Morphological features of n...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2011
Автори:	Pashayev, A. M., Tagiev, B. G., Safarzade, A. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011
Онлайн доступ:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Схожі ресурси

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
за авторством: Кудринський, З.Р.
Опубліковано: (2013)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
за авторством: Pashayev, A.M., та інші
Опубліковано: (2001)

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2022)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
за авторством: Галій, П.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)

Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)

Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
за авторством: Балицький, О.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2009)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
за авторством: Khalavk, Y.B., та інші
Опубліковано: (2009)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)

Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію
за авторством: Балицький, О.О.
Опубліковано: (2010)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
за авторством: F. O. Ivashchyshyn, та інші
Опубліковано: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
за авторством: Moroz, Mykola, та інші
Опубліковано: (2022)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
за авторством: Воробець, М.О.
Опубліковано: (2008)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
за авторством: Козьма, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe
за авторством: Stakhira, J.M., та інші
Опубліковано: (2022)