Зображення обкладинки

Квантові ефекти в багатошарових Si-Ge наногетероструктурах

The lateral photoconductivity spectra and photofield electron emission were used to investigate multilayer Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. Earlier we have revealed a close connection between elastic strain in Ge quantum dots originating due to the lattice mismatch during the epitaxial g...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори та афіліації:	Yu. N. Kozyrev — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України M. Yu. Rubezhanska — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України A. V. Sushyі — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України S. V. Kondratenk — Київський національний університет імені Тараса Шевченка O. V. Vakulenko — Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України A. A. Dadykin — Інститут фізики Національної академії наук України A. G. Naumovets — Інститут фізики Національної академії наук України
Ключові слова:	keywords
Автори:	Kozyrev, Yu. N., Rubezhanska, M. Yu., Sushyі, A. V., Kondratenk, S. V., Vakulenko, O. V., Dadykin, A. A., Naumovets, A. G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2008
Онлайн доступ:	https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/267
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Surface
Завантажити файл:

Репозитарії

Surface

Схожі ресурси

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Таємничі квантові ефекти, що спостерігаються за допомогою нейтронів
за авторством: Rauch, H.
Опубліковано: (2012)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Кінетичні розмірні ефекти у багатошарових плівках з полікристалічною структурою
за авторством: Басов, А.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
за авторством: Кондратенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
за авторством: Nikolenko, A.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив пружних деформацій на локальні характеристики струму окремих нанокластерів Ge на Si, досліджених методом провідної атомно-силової мікроскопії
за авторством: Rubezhanska, M. Yu.
Опубліковано: (2012)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Булеві квантові логічні операції
за авторством: Budnyk, Mykola
Опубліковано: (2023)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Melnichuk, Ye.Ye., та інші
Опубліковано: (2014)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Взаємодія електромагнетного випромінення з квантововимірними електронними станами в наногетероструктурах з квантовими точками
за авторством: Покутній, С.І., та інші
Опубліковано: (2016)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Квантові поправки до динаміки гравітаційної системи
за авторством: Kuzmichev, V. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Квантові обчислення: огляд та аналіз
за авторством: Савчук, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Квантові властивості корельованих фотонів із урахуванням флуктуацій фази
за авторством: Kumela, A.G., та інші
Опубліковано: (2023)

Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах
за авторством: Lysenko, V. S., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
за авторством: Теребінська, М. І., та інші
Опубліковано: (2021)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Модифікування багатошарових вуглецевих нанотрубок акрилатами
за авторством: Gun'ko, G. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Напівпровідникові і перовскітні квантові точки в нанолазерних технологіях (міні-огляд)
за авторством: Pokutnii, S.I., та інші
Опубліковано: (2026)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2014)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Вплив електрон-деформацiйних ефектiв на електронну структуру квантових точок у напружених наногетероструктурах
за авторством: Peleshchak, R. M., та інші
Опубліковано: (2018)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)