Cover Image

Квантові ефекти в багатошарових Si-Ge наногетероструктурах

The lateral photoconductivity spectra and photofield electron emission were used to investigate multilayer Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots. Earlier we have revealed a close connection between elastic strain in Ge quantum dots originating due to the lattice mismatch during the epitaxial g...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2008
Main Authors:	Kozyrev, Yu. N., Rubezhanska, M. Yu., Sushyі, A. V., Kondratenk, S. V., Vakulenko, O. V., Dadykin, A. A., Naumovets, A. G.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2008
Online Access:	https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/267
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Surface
Download file:

Institution

Surface

Similar Items

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
by: Kozyrev, Yu.N., et al.
Published: (2008)

Таємничі квантові ефекти, що спостерігаються за допомогою нейтронів
by: Rauch, H.
Published: (2012)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
by: S. A. Iliash, et al.
Published: (2017)

Кінетичні розмірні ефекти у багатошарових плівках з полікристалічною структурою
by: Басов, А.Г., et al.
Published: (2010)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
by: Iliash, S.A., et al.
Published: (2017)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
by: Кондратенко, С.В., et al.
Published: (2010)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
by: Nikolenko, A.S., et al.
Published: (2006)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
by: Yukhymchuk, V.O., et al.
Published: (2022)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
by: Afanasieva, T.V., et al.
Published: (2022)

Вплив пружних деформацій на локальні характеристики струму окремих нанокластерів Ge на Si, досліджених методом провідної атомно-силової мікроскопії
by: Rubezhanska, M. Yu.
Published: (2012)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
by: Lysenko, V.S., et al.
Published: (2021)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
by: V. S. Lysenko, et al.
Published: (2012)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
by: V. S. Lysenko, et al.
Published: (2012)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
by: Ye. Ye. Melnichuk, et al.
Published: (2014)

Булеві квантові логічні операції
by: Budnyk, Mykola
Published: (2023)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
by: Melnichuk, Ye.Ye., et al.
Published: (2014)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
by: Deibuk, V.G., et al.
Published: (2002)

Взаємодія електромагнетного випромінення з квантововимірними електронними станами в наногетероструктурах з квантовими точками
by: Покутній, С.І., et al.
Published: (2016)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
by: V. S. Lysenko, et al.
Published: (2015)

Квантові поправки до динаміки гравітаційної системи
by: Kuzmichev, V. V., et al.
Published: (2019)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
by: Lysenko, V.S., et al.
Published: (2015)

Квантові обчислення: огляд та аналіз
by: Савчук, М.М., et al.
Published: (2019)

Квантові властивості корельованих фотонів із урахуванням флуктуацій фази
by: Kumela, A.G., et al.
Published: (2023)

Просторовий розподіл електрон-діркових пар в Si/Ge гетероструктурах
by: Lysenko, V. S., et al.
Published: (2015)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
by: Horvath, Zs.J., et al.
Published: (2004)

Трансформація аддимерів >Ge=GeGe=Si< ТА >Si=Si< на релаксованій грані Si(001)(4×2)
by: Теребінська, М. І., et al.
Published: (2021)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2005)

Модифікування багатошарових вуглецевих нанотрубок акрилатами
by: Gun'ko, G. S., et al.
Published: (2009)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
by: Dugaev, V.K., et al.
Published: (2000)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
by: M. I. Terebinska, et al.
Published: (2021)

Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2007)

Напівпровідникові і перовскітні квантові точки в нанолазерних технологіях (міні-огляд)
by: Pokutnii, S.I., et al.
Published: (2026)

Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
by: Litovchenko, P.G., et al.
Published: (2014)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
by: Yu. M. Kozyriev, et al.
Published: (2016)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
by: Dolgolenko, A.P., et al.
Published: (2011)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2015)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
by: Gomeniuk, Y.V., et al.
Published: (1999)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
by: Berkutov, I.B., et al.
Published: (2008)

Вплив електрон-деформацiйних ефектiв на електронну структуру квантових точок у напружених наногетероструктурах
by: Peleshchak, R. M., et al.
Published: (2018)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2014)