Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
The paper describes the method of obtaining the SiC/porous-Si/Si heterostructure and the study of its structural and morphological properties. The method of obtaining heterostructures consisted of several stages: electrochemical etching of single-crystal silicon p-Si (111), annealing of porous Si in...
Збережено в:
| Дата: | 2024 |
|---|---|
| Автори: | Kidalov, V. V., Dyadenchuk, A. F., Zhuk, A. G., Gudimenko, O. Y., Simchenko, S. V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2024
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/723 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceСхожі ресурси
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)
Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
за авторством: Suchikova, Y. O., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Suchikova, Y. O., та інші
Опубліковано: (2022)
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
за авторством: Semenov, O. V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Semenov, O. V., та інші
Опубліковано: (2017)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
за авторством: Proidak , Yu., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Proidak , Yu., та інші
Опубліковано: (2022)
Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)
Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
за авторством: Polukhin, Оlекsіі, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Polukhin, Оlекsіі, та інші
Опубліковано: (2023)
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)
Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
за авторством: Garbuz, V. V., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Garbuz, V. V., та інші
Опубліковано: (2023)
Квантовохімічний розрахунок 29Si ЯМР-спектрів фулереноподібних молекул діоксиду кремнію
за авторством: Filonenko, O. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Filonenko, O. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Квазінаправлені та фотонні моди в двовимірних структурах макропористого кремнію з нанопокриттями SiO2
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2015)
Особливості синтезу та бактерицидні властивості наносрібла в колоїдних розчинах, плівках SiO2 та в структурі текстилю: огляд
за авторством: Eremenko, A. M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Eremenko, A. M., та інші
Опубліковано: (2021)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tkachuk, O. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
за авторством: Polukhin, Оlекsіі, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Polukhin, Оlекsіі, та інші
Опубліковано: (2021)
Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату
за авторством: Пилипів, В.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Пилипів, В.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Фотоелeктронна емiсiя катода Si–Gd–O
за авторством: Nakhodkin, M. G., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nakhodkin, M. G., та інші
Опубліковано: (2019)
Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Svetlichnaya, L. A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Svetlichnaya, L. A., та інші
Опубліковано: (2005)
Втомна міцність сплаву AlSi10Mg, отриманого шляхом адитивного виробництва: ефекти постобробки
за авторством: Волошко , Світлана Михайлівна, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Волошко , Світлана Михайлівна, та інші
Опубліковано: (2024)
Тер¬модеполяризація кристалів Bi12SiO20, легованих Fe
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Panchenko, T.V., та інші
Опубліковано: (2021)
ФІГУРИ РОЗЧИНЕННЯ НА КРИСТАЛАХ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗІВ, ОТРИМАНИХ В ОБЛАСТІ ТЕРМОДИНАМІЧНОЇ СТАБІЛЬНОСТІ.
за авторством: Супрун, Олена, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Супрун, Олена, та інші
Опубліковано: (2023)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Комплексне модифікування сплаву AlSi9Cu3(Fe) кобальтом, ванадієм та молібденом
за авторством: Voron, M. M., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Voron, M. M., та інші
Опубліковано: (2023)
Вплив електрон-фононної взаємодії на ефект Ваньє-Штарка в двовимірних структурах макропористого кремнію з SiO2 нанопокриттями
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2014)
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Визначення оптичних параметрів плівок PVA/TiO2/SiC і PVA/ MgO/SiC нанокомпозитів для оптоелектроніки і УФ-детекторів
за авторством: Ahmed, H., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ahmed, H., та інші
Опубліковано: (2020)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Схожі ресурси
-
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020) -
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019) -
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025) -
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024) -
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)