Buchumschlag

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si

The paper describes the method of obtaining the SiC/porous-Si/Si heterostructure and the study of its structural and morphological properties. The method of obtaining heterostructures consisted of several stages: electrochemical etching of single-crystal silicon p-Si (111), annealing of porous Si in...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2024
Hauptverfasser:	Kidalov, V. V., Dyadenchuk, A. F., Zhuk, A. G., Gudimenko, O. Y., Simchenko, S. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2024
Schlagworte:	плівка SiC поруватий Si електрохімічне травлення метод заміщення атомів
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/723
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Ähnliche Einträge

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2020)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
von: Suchikova, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
von: Proidak , Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
von: Semenov, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
von: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
von: Garbuz, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Квантовохімічний розрахунок 29Si ЯМР-спектрів фулереноподібних молекул діоксиду кремнію
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Квазінаправлені та фотонні моди в двовимірних структурах макропористого кремнію з нанопокриттями SiO2
von: Karachevtseva, L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особливості синтезу та бактерицидні властивості наносрібла в колоїдних розчинах, плівках SiO2 та в структурі текстилю: огляд
von: Eremenko, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Структура і властивості первинних поверхневих утворень германію на грані Si(001): квантовохімічні дослідження
von: Tkachuk, O. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Розподіл хімічних елементів в поверхневому шарі імплантованих іонами Si⁺ плівок залізоітрієвого гранату
von: Пилипів, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)
von: Polukhin, Оlекsіі, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Втомна міцність сплаву AlSi10Mg, отриманого шляхом адитивного виробництва: ефекти постобробки
von: Волошко , Світлана Михайлівна, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Комплексне модифікування сплаву AlSi9Cu3(Fe) кобальтом, ванадієм та молібденом
von: Voron, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив електрон-фононної взаємодії на ефект Ваньє-Штарка в двовимірних структурах макропористого кремнію з SiO2 нанопокриттями
von: Karachevtseva, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ФІГУРИ РОЗЧИНЕННЯ НА КРИСТАЛАХ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗІВ, ОТРИМАНИХ В ОБЛАСТІ ТЕРМОДИНАМІЧНОЇ СТАБІЛЬНОСТІ.
von: Супрун, Олена, et al.
Veröffentlicht: (2023)

CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
von: A. F. Diadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
von: E. V. Mikhajlovskaja, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вплив потоку азоту на властивості тонких аморфних Si–C–N-плівок, отриманих магнетронним розпиленням
von: Козак, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Study of postimplantation annealing of SiC
von: Avramenko, S.F., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
von: Popov, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)