Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown t...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | rus |
Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/654 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |