Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts

Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown t...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автор: Storozhenko, I. P.
Формат: Стаття
Мова:rus
Опубліковано: Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Онлайн доступ:http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/654
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Radio physics and radio astronomy

Репозиторії

Radio physics and radio astronomy