Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
Operation of the Alx(z)Ga1-x(z)As variband Gunn diodes with n+-n and n+-n–-n cathode contacts for different active region lengths and variband layer thicknesses is studied with the two-level model of intervalley electron transfer in a variband semiconductor. These Alx(z)Ga1-x(z)As diodes are shown t...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автор: | Storozhenko, I. P. |
Формат: | Стаття |
Мова: | rus |
Опубліковано: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
Онлайн доступ: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/654 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |
Репозитарії
Radio physics and radio astronomyСхожі ресурси
-
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013) -
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013) -
Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2006) -
AlGaInAs graded-dap Gunn diode
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2016) -
Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)