Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами

• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
• Schlagworte: двухбарьерная структура; перераспределение напряжения; слой объемного заряда; гетеропереход; металлополупроводниковый переход
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Based on experimental data of the current–voltage characteristics and the dependence of resistance on voltage in double-barrier m‑pGaAs–nGdS and modified m‑pGaAs–pGaAs–nGdS structures, calculations were carried out for the redistribution of voltage between forward- and reverse-biased junctions. The...