Buchumschlag

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия

An experimental study was carried out to investigate the possibility of obtaining layers with hole conductivity in CdS and GaAs single crystals using radiation doping. A monoenergetic flux of fast neutrons with an energy of 14.5 MeV was applied. Measurements confirmed the formation of such layers....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2003
Hauptverfasser:	Mokritsky, V. A., Garkavenko, A. S., Zubarev, V. V., Lenkov, S. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003
Schlagworte:	радиационное легирование CdS GaAs быстрые нейтроны ядерные реакции
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.14
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование механизма дипольных переходов в (γ,р)– и (γ,n)– реакциях на ядре ⁴He
von: Гурьев, В.Н.
Veröffentlicht: (1999)

М1 резонанс в нечетных ядрах sd-оболочки
von: Качан, А.С.
Veröffentlicht: (1999)

Σ-асимметрия и сечения в (1⁻,0)–, (1⁻,1)– каналах фотоделения ядра ²³²Th
von: Хвастунов, В.М.
Veröffentlicht: (1999)

Измерение Θ-угловой зависимости Σ-асимметрии сечения фоторасщепления ядра ⁶Li линейно поляризованными фотонами при малых энергиях (проект эксперимента)
von: Аркатов, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Исследование механизма электрических квадрупольных переходов в (γ,р)– и (γ,n)–реакциях на ядре ⁴He
von: Гурьев, В.Н.
Veröffentlicht: (1999)

l-запрещенные М1-переходы с ∆Т=1 в нечетных ядрах 1d2s-оболочки
von: Водин, А.Н.
Veröffentlicht: (1999)

Эффекты сохранения ядерного тока в (γ,р)-реакции на ядре ¹²С с ядром–остатком в состоянии 1⁺/2
von: Золенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Электрический дипольный переход с изменением спина в конечном состоянии при реакциях ⁴Не(γ,р)T и ⁴Не(γ,n)³He
von: Волощук, И.В., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Применение метода усредненных резонансов (МУР) в реакциях захвата протонов низких энергий
von: Немашкало, Б.А.
Veröffentlicht: (1999)

МТИ-эффект и нуклоны поверхностного слоя ядра
von: Буки, А.Ю.
Veröffentlicht: (1999)

Возбуждение дельта резонанса в инклюзивном е-d рассеянии при малых переданных импульсах
von: Купленников, Э.Л.
Veröffentlicht: (1999)

Асимметрия угловых распределений в реакциях типа А(γ,N)(A-1) на ядрах р-оболочки
von: Ходячих, А.Ф.
Veröffentlicht: (1999)

Измерение отношения сечений одиночного фотообразования π⁺ и π⁻ мезонов на гелии-3 линейно-поляризованными фотонами в области ∆ резонанса
von: Ганенко, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Определение отношения EMR≡E2/M1 в переходе γN↔∆(1232) из фоторождения одиночных пионов на протоне
von: Афанасьев, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Исследование Σ(90°)-асимметрии в расщеплении дейтрона линейнополяризованными фотонами
von: Ганенко, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Сечения образования и пробеги продуктов реакций, вызываемых ускоренными тяжелыми ионами
von: Скакун, Е. А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Эволюция энергетического спектра арсенида галлия под давлением
von: Моллаев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Структура и свойства электроосажденных пленок сульфида кадмия
von: Ли, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Легирование кремнием и фотоэлектрические свойства тонких плёнок полуторного сульфида тулия
von: Джабуа, З.У., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
von: Гаджиалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении
von: Голованова, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Rotner, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Formation and Prospects of Development of CD Manufacturing in Ukraine
von: Масол, И. В.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности токопереноса в тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия для функциональных элементов систем измерений, управления и связи
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
von: Mokritskij, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Електрофiзичнi та люмiнесцентнi властивостi систем сульфiд кадмiю–пористий кремнiй
von: Davidenko, N. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури
von: Prokopenko, S. L., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)