Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Електрофізичні радіаційні технології
Опубліковано: (2003)
Опубліковано: (2003)
Optimization of the photorecording system through the application of a coating based on nanostructured phosphors
за авторством: Беляк, Є. В.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Беляк, Є. В.
Опубліковано: (2022)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Research of structures with corrugated photoreceiving surface
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив активних обробок на фотоелектричні характеристики структур на основі плівок CdTe
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Klyui, N.I., та інші
Опубліковано: (2012)
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Електрофізичні властивості системи поліхлортрифторетилен–оксид міді
за авторством: Makhno, S. N.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Makhno, S. N.
Опубліковано: (2014)
Електрофізичні властивості системи поліхлортрифторетилен/йодид міді
за авторством: Мазуренко, Р.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Мазуренко, Р.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Електрофізичні властивості системи поліамід–графенові нанопластини
за авторством: Лісова, О.М., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Лісова, О.М., та інші
Опубліковано: (2017)
Електрофізичні властивості системи політетрафторетилен – вуглецеві нанотрубки
за авторством: Котенок, О.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Котенок, О.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Вплив обмежених поляризацiйних фононiв на електронний спектр трибар’єрної активної зони квантового каскадного детектора
за авторством: Tkach, M. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tkach, M. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Електрофізичні властивості полімерних композитів з оксидом графену
за авторством: Лісова, О.М., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лісова, О.М., та інші
Опубліковано: (2015)
Електрофізичні властивості композитів вуглецеві нанотрубки/ NiCo
за авторством: Lisova, O. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lisova, O. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Фазовий склад та електрофізичні властивості плівок заліза
за авторством: Воробйов, С.І., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Воробйов, С.І., та інші
Опубліковано: (2012)
Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
за авторством: Оленич, І.Б.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Оленич, І.Б.
Опубліковано: (2016)
Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
за авторством: Солован, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Солован, М.М., та інші
Опубліковано: (2019)
Методика оцiнки бар’єрної стiйкостi водозборiв по вiдношенню до забруднюючих речовин
за авторством: Шевченко, О.Л.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Шевченко, О.Л.
Опубліковано: (2016)
Теорія електронної провідності відкритої циліндричної двобар'єрної симетричної резонансно-тунельної структури у моделі прямокутних та δ-подібних потенціальних бар'єрів
за авторством: Ткач, М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ткач, М., та інші
Опубліковано: (2011)
Spectral photosensitivity of the m-n⁰-n structure on the basis of epitaxial layers
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Круковський, C.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Yodgorova, D.M., та інші
Опубліковано: (2004)
Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Електрофізичні властивості систем полімер – іонний провідник в надвисокочастотному діапазоні
за авторством: Махно, С.М.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Махно, С.М.
Опубліковано: (2008)
Структура та електрофізичні властивості системи натрійвмісних ніобатів літію–лантану
за авторством: Кобилянська, С.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Кобилянська, С.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Електрофізичні властивості плівок молібдену в умовах внутрішнього розмірного ефекту
за авторством: Білоус, О.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Білоус, О.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Memory phenomenon in two-barrier n++pnn+-structures
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2014)
Електрофізичні властивості композитів на основі епоксидної смоли та вуглецевих наповнювачів
за авторством: Sirenko, O. G., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Sirenko, O. G., та інші
Опубліковано: (2021)
Електрофізичні властивості гетероструктури CuS/ZnS і системи CuS/ZnS-ПТФХЕ
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Prokopenko, S. L., та інші
Опубліковано: (2015)
Синтез та електрофізичні властивості гетероструктур CuS/CdS та Ag₂S/CdS
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Прокопенко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020) -
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Електрофізичні радіаційні технології
Опубліковано: (2003)