Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
Optimization of the photorecording system through the application of a coating based on nanostructured phosphors
за авторством: Беляк, Є. В.
Опубліковано: (2022)
за авторством: Беляк, Є. В.
Опубліковано: (2022)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Paschenko, G. A., та інші
Опубліковано: (2012)
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)
Impact of designed Quairokkum Hydropower Plant reconstruction on the Syr Darya River ichthyofauna
за авторством: Afanasyev , S. A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Afanasyev , S. A., та інші
Опубліковано: (2020)
Impact of designed Quairokkum Hydropower Plant reconstruction on the Syr Darya River ichthyofauna
за авторством: Afanasyev , S. A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Afanasyev , S. A., та інші
Опубліковано: (2020)
Solar Corona Elliptical Model
за авторством: Stanislavsky, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Stanislavsky, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Моделювання графіків навантаження в умовах неповної вихідної інформації
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2000)
Зменшення похибки визначення втрат електроенергії за наявності двох контрольованих параметрів завантаження мережі
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Аналіз використання прямих вимірів для визначення технологічних витрат електроенергії в розподільних мережах
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Інформаційно-аналітична система "інформація-похибка" для задач розрахунку технологічних втрат електроенергії в розподільчих мережах
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Ozeryanskiy A.A., та інші
Опубліковано: (2002)
Штучне поновлення і динаміка чисельності деревних інтродуцентів у ландшафтах дендропарку “Тростянець”
за авторством: Iljenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Iljenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Схожі ресурси
-
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020) -
Optimization of the photorecording system through the application of a coating based on nanostructured phosphors
за авторством: Беляк, Є. В.
Опубліковано: (2022) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008) -
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
за авторством: Лежнюк, Петро Дем'янович, та інші
Опубліковано: (2020)