Електрофізичні та фотоелектричні характеристики трьохбар'єрної фотодіодної GaAs-структури
The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Yakubov, A. A., Kuliyev, Sh. M. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.4.21 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
by: Fedorenko, Artem
Published: (2020)
by: Fedorenko, Artem
Published: (2020)
Optimization of the photorecording system through the application of a coating based on nanostructured phosphors
by: Беляк, Є. В.
Published: (2022)
by: Беляк, Є. В.
Published: (2022)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2015)
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2015)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
by: Лежнюк, Петро Дем'янович, et al.
Published: (2020)
by: Лежнюк, Петро Дем'янович, et al.
Published: (2020)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
by: Storozhenko, I. P., et al.
Published: (2013)
Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
by: Paschenko, G. A., et al.
Published: (2012)
by: Paschenko, G. A., et al.
Published: (2012)
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
by: Житарюк, В. Г., et al.
Published: (2013)
by: Житарюк, В. Г., et al.
Published: (2013)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
by: Kovachov, S. S., et al.
Published: (2024)
by: Kovachov, S. S., et al.
Published: (2024)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2018)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2018)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2008)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2008)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
by: Venger, E. F., et al.
Published: (2014)
by: Venger, E. F., et al.
Published: (2014)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2011)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
by: Zozulia, V. O., et al.
Published: (2024)
by: Zozulia, V. O., et al.
Published: (2024)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2008)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2008)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2012)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2012)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)
Impact of designed Quairokkum Hydropower Plant reconstruction on the Syr Darya River ichthyofauna
by: Afanasyev , S. A., et al.
Published: (2020)
by: Afanasyev , S. A., et al.
Published: (2020)
Impact of designed Quairokkum Hydropower Plant reconstruction on the Syr Darya River ichthyofauna
by: Afanasyev , S. A., et al.
Published: (2020)
by: Afanasyev , S. A., et al.
Published: (2020)
Solar Corona Elliptical Model
by: Stanislavsky, A. A., et al.
Published: (2013)
by: Stanislavsky, A. A., et al.
Published: (2013)
Моделювання графіків навантаження в умовах неповної вихідної інформації
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2000)
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2000)
Зменшення похибки визначення втрат електроенергії за наявності двох контрольованих параметрів завантаження мережі
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2001)
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2001)
Аналіз використання прямих вимірів для визначення технологічних витрат електроенергії в розподільних мережах
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2003)
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2003)
Інформаційно-аналітична система "інформація-похибка" для задач розрахунку технологічних втрат електроенергії в розподільчих мережах
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2002)
by: Ozeryanskiy A.A., et al.
Published: (2002)
Штучне поновлення і динаміка чисельності деревних інтродуцентів у ландшафтах дендропарку “Тростянець”
by: Iljenko, A.A., et al.
Published: (2006)
by: Iljenko, A.A., et al.
Published: (2006)
Similar Items
-
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
by: Fedorenko, Artem
Published: (2020) -
Optimization of the photorecording system through the application of a coating based on nanostructured phosphors
by: Беляк, Є. В.
Published: (2022) -
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Abdulkhaev, O. A., et al.
Published: (2015) -
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008) -
Фотоелектричні станції як елемент енергоефективного електропостачання
by: Лежнюк, Петро Дем'янович, et al.
Published: (2020)