Зображення обкладинки

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Теми:	високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
за авторством: Naida, S. A., та інші
Опубліковано: (2021)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
за авторством: Tsybulenko, Vadym, та інші
Опубліковано: (2020)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Стан та перспективи розвитку сенсорів Холла для електронних приладів
за авторством: Sergiichuk, Viktor, та інші
Опубліковано: (2024)

КЕРУВАННЯ НАПРУГОЮ ЖИВЛЕННЯ ДАТЧИКІВ ХОЛЛА У МАГНІТОЕЛЕКТРИЧНИХ СИСТЕМАХ МАЛОЇ ПОТУЖНОСТІ
за авторством: Акинін, К.П., та інші
Опубліковано: (2019)

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Розробка математичної моделі фоточутливого сенсора Холла на основі CdS
за авторством: Sergiichuk, Viktor, та інші
Опубліковано: (2025)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Приладово-технологічне моделювання магніточутливого сенсора з інтегрованим магнітним концентратором
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2018)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
за авторством: Батаев, М., та інші
Опубліковано: (2011)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

ÐšÐ¾ÐµÑ„Ñ–Ñ†Ñ–Ñ”Ð½Ñ‚Ð¸ Ð¿Ñ€Ð¾Ð½Ð¸ÐºÐ½Ð¾ÑÑ‚Ñ– Ð¼ÐµÐ¼Ð±Ñ€Ð°Ð½ ÐµÐ½Ñ‚ÐµÑ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² Ð¼Ð¸ÑˆÑ– Ð´Ð»Ñ Ð²Ð¾Ð´Ð¸ Ñ– ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ñ–Ð²
за авторством: Ogurtsova, Viktoriya V., та інші
Опубліковано: (2016)

Ð“Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ ÑƒÑÑ‚Ð¾Ð¹Ñ‡Ð¸Ð²Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ñ„ÐµÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ° Ð² ÑÐ»ÐµÐºÑ‚Ñ€Ð¾Ð»Ð¸Ñ‚Ð½Ð¾Ð¹ ÑÑ€ÐµÐ´Ðµ
за авторством: Kuleshova, L. G.
Опубліковано: (2003)

ÐžÐ¿Ñ‚Ð¸Ð¼Ð¸Ð·Ð°Ñ†Ð¸Ñ Ð¼ÐµÑ‚Ð¾Ð´Ð° Ð²Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ð¸ÐºÐ°Ñ†Ð¸Ð¸ Ð¼ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚ÐµÐ¼ ÐºÐ°Ñ€Ñ‚Ð¾Ñ„ÐµÐ»Ñ
за авторством: Stribul, T. F., та інші
Опубліковано: (2005)

ÐžÑÐ¾Ð±ÐµÐ½Ð½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ Ð¿Ñ€Ð¾ÑÐ²Ð»ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð¿Ð¾ÑÑ‚Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ð»Ð¸Ð·Ð¸ÑÐ° ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð½ÐµÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ñ‹Ñ… Ð¼Ð»ÐµÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ‚Ð°ÑŽÑ‰Ð¸Ñ…
за авторством: Semionova, Elena A., та інші
Опубліковано: (2016)

Повышение электромагнитной помехоустойчивости сигнальных преобразователей на сенсорах Холла
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2013)

ÐÐ½Ð´Ð¾ÑÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ñ…Ð¸Ñ€ÑƒÑ€Ð³Ð¸Ñ
за авторством: Chizh, Nikolay A.
Опубліковано: (2017)

ÐŸÐ¾ÑÑ‚Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¸Ð¹ Ð»Ð¸Ð·Ð¸Ñ Ð¼Ð¾Ð´Ð¸Ñ„Ð¸Ñ†Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð² Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ€Ð°Ñ‚Ð½Ð¾Ð¹ ÑÑ€ÐµÐ´Ðµ
за авторством: Olejnik, O. A., та інші
Опубліковано: (2003)

Ðš ÐºÐ¾Ð½Ñ†ÐµÐ¿Ñ†Ð¸Ð¸ ÑÐºÐ·Ð¸ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ñ†ÐµÑ„Ð°Ð»Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¹ ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼Ñ‹ Ð¾Ñ…Ð»Ð°Ð¶Ð´ÐµÐ½Ð½Ð¾Ð³Ð¾ Ð¼Ð¾Ð·Ð³Ð°. Ð§Ð°ÑÑ‚ÑŒ 5. Ð¤Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð°Ñ Ð³Ð¾Ð¼ÐµÐ¾Ð¼ÐµÑ‚Ñ€Ð¸Ñ ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ð¾-Ñ„ÑƒÐ½ÐºÑ†Ð¸Ð¾Ð½Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ð³Ð¾ ÑÐ¾ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ð¸Ñ Ð¸Ð¼Ð¼ÑƒÐ½Ð½Ð¾Ð¹ Ð¸ ÑÐµÑ€Ð´ÐµÑ‡Ð½Ð¾-ÑÐ¾ÑÑƒÐ´Ð¸ÑÑ‚Ð¾Ð¹ ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼ Ð¿Ñ€Ð¸ Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¾Ð²Ð¾Ð¼ ÑÑ‚Ñ€ÐµÑÑÐµ
за авторством: Babiychuk, V. G., та інші
Опубліковано: (2006)

ÐšÑ–Ð½ÐµÑ‚Ð¸ÐºÐ° Ñ„Ð°Ð·Ð¾Ð²Ð¸Ñ… Ð¿ÐµÑ€ÐµÑ‚Ð²Ð¾Ñ€ÐµÐ½ÑŒ Ñƒ Ð¿Ñ€Ð¾Ñ†ÐµÑÑ– Ð¾Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¶ÐµÐ½Ð½Ñ â€“ Ð²Ñ–Ð´Ñ–Ð³Ñ€Ñ–Ð²Ñƒ ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½ Saccharomyces cerevisiae Ð² Ð°Ð»ÑŒÐ³Ñ–Ð½Ð°Ñ‚Ð²Ð¼Ñ–ÑÐ½Ð¸Ñ… ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð·Ð°Ñ…Ð¸ÑÐ½Ð¸Ñ… ÑÐµÑ€ÐµÐ´Ð¾Ð²Ð¸Ñ‰Ð°Ñ…
за авторством: Ponomareva, Victoria L., та інші
Опубліковано: (2018)

Ð’Ð¿Ð»Ð¸Ð² Ð·Ð°Ð³Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ñ— ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÑÑ‚Ð¸Ð¼ÑƒÐ»ÑÑ†Ñ–Ñ— (â€“120Â°Ð¡) Ð½Ð° Ñ‚Ñ€Ð°Ð½ÑÑ„Ð¾Ñ€Ð¼Ð°Ñ†Ñ–ÑŽ ÐµÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ð¼Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¸Ñ… Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð²
за авторством: Lomako, Victoria V., та інші
Опубліковано: (2018)