Buchumschlag

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Schlagworte:	високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
von: Naida, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

\(N\) – real fields
von: Feigelstock, Shalom
Veröffentlicht: (2018)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
von: Bahanov, Yevgen, et al.
Veröffentlicht: (2022)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
von: Tsybulenko, Vadym, et al.
Veröffentlicht: (2020)

N-Дифлуорометиліндазоли
von: Petko, Kirill I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
von: Петруша, І. A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання
von: Zaychenko, Yuriy, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Cинтез та дослідження антимікробної активності N-алкіл(диметилалкоксіацетиламонійхлорид)-N′-[4-(гідроксиметил)-1H-піразол-3-іл]сечовин
von: Bratenko, M. K., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ВПЛИВ УМОВ ФОРМУВАННЯ НА ТРИБОТЕХНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ БАГАТОШАРОВОГО ПОКРИТТЯ TiNbN/CrN
von: Клименко, С. Ан., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Structure of relatively free \(n\)-tuple semigroups
von: Zhuchok, A. V.
Veröffentlicht: (2023)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

On n-stars in colorings and orientations of graphs
von: Protasov, Igor Vladimirovich
Veröffentlicht: (2016)

ВПЛИВ КИСНЮ НА РІДКОФАЗНЕ СПІКАННЯ КЕРМЕТІВ З НАНОДИСПЕРСНИХ СИСТЕМ TiN–Ni
von: Кайдаш, Оксана
Veröffentlicht: (2019)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИТУ З МІДНОЮ МАТРИЦЕЮ ТА ДОБАВКОЮ N-ШАРОВОГО ГРАФЕНУ
von: Соколов, О. М., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Синтез димерних n-ацетилглюкозамінідів
von: Zemlyakov, O. Ye., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Синтез N-ацилсульфонамідів: від загальновідомих реакцій ацилювання до сучасних каталітичних і сталих методів
von: Gavrylenko, Oleksii V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Приладово-технологічне моделювання магніточутливого сенсора з інтегрованим магнітним концентратором
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Застосування теплостійкої сталі з 9% хрому при реконструкції ТЕС України
von: Tsaruk A.K., et al.
Veröffentlicht: (2005)

N-силілімін трифторопірувату в асиметричному синтезі похідних трифтороаланіну
von: Cherednichenko, Alona S., et al.
Veröffentlicht: (2023)

On strongly almost \(m\)-\(\omega_1\)-\(p^{\omega+n}\)-projective abelian \(p\)-groups
von: Danchev, Peter
Veröffentlicht: (2016)

Uncountably many non-isomorphic nilpotent real \(n\)-Lie algebras
von: Stitzinger, Ernest, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)

КЕРУВАННЯ НАПРУГОЮ ЖИВЛЕННЯ ДАТЧИКІВ ХОЛЛА У МАГНІТОЕЛЕКТРИЧНИХ СИСТЕМАХ МАЛОЇ ПОТУЖНОСТІ
von: Акинін, К.П., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Modeling and calculations of parameters of the joint treatment of organic contaminations (OC) and nitrogen (N) compounds in bioreactors with using of the fixed biocenosis (biofilm)
von: Oliynyk, Oleksandr Ya., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)