Buchumschlag

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2017
Hauptverfasser:	Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Schlagworte:	високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
von: Mollaamin, F.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
von: Naida, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
von: Koziarskyi, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Bonchyk, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
von: Zinovchuk, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)

ÐšÐ¾ÐµÑ„Ñ–Ñ†Ñ–Ñ”Ð½Ñ‚Ð¸ Ð¿Ñ€Ð¾Ð½Ð¸ÐºÐ½Ð¾ÑÑ‚Ñ– Ð¼ÐµÐ¼Ð±Ñ€Ð°Ð½ ÐµÐ½Ñ‚ÐµÑ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² Ð¼Ð¸ÑˆÑ– Ð´Ð»Ñ Ð²Ð¾Ð´Ð¸ Ñ– ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ñ–Ð²
von: Ogurtsova, Viktoriya V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Ð“Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ ÑƒÑÑ‚Ð¾Ð¹Ñ‡Ð¸Ð²Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ñ„ÐµÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ° Ð² ÑÐ»ÐµÐºÑ‚Ñ€Ð¾Ð»Ð¸Ñ‚Ð½Ð¾Ð¹ ÑÑ€ÐµÐ´Ðµ
von: Kuleshova, L. G.
Veröffentlicht: (2003)

ÐžÐ¿Ñ‚Ð¸Ð¼Ð¸Ð·Ð°Ñ†Ð¸Ñ Ð¼ÐµÑ‚Ð¾Ð´Ð° Ð²Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ð¸ÐºÐ°Ñ†Ð¸Ð¸ Ð¼ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚ÐµÐ¼ ÐºÐ°Ñ€Ñ‚Ð¾Ñ„ÐµÐ»Ñ
von: Stribul, T. F., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
von: Стемпицкий, В.Р., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
von: V. R. Stempitskij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

ÐžÑÐ¾Ð±ÐµÐ½Ð½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ Ð¿Ñ€Ð¾ÑÐ²Ð»ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð¿Ð¾ÑÑ‚Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ð»Ð¸Ð·Ð¸ÑÐ° ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð½ÐµÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ñ‹Ñ… Ð¼Ð»ÐµÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ‚Ð°ÑŽÑ‰Ð¸Ñ…
von: Semionova, Elena A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

ÐÐ½Ð´Ð¾ÑÐºÐ¾Ð¿Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ñ…Ð¸Ñ€ÑƒÑ€Ð³Ð¸Ñ
von: Chizh, Nikolay A.
Veröffentlicht: (2017)

ÐŸÐ¾ÑÑ‚Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¸Ð¹ Ð»Ð¸Ð·Ð¸Ñ Ð¼Ð¾Ð´Ð¸Ñ„Ð¸Ñ†Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð² Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ€Ð°Ñ‚Ð½Ð¾Ð¹ ÑÑ€ÐµÐ´Ðµ
von: Olejnik, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ð”Ð¸Ð½Ð°Ð¼Ð¸ÐºÐ° Ð½Ð°ÐºÐ¾Ð¿Ð»ÐµÐ½Ð¸Ñ Ð»Ð°ÐºÑ‚Ð°Ñ‚Ð° Ð² ÑÐ¿ÐµÑ€Ð¼Ð¸ÑÑ… Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ° Ð¿Ñ€Ð¸ Ð²Ð²ÐµÐ´ÐµÐ½Ð¸Ð¸ Ð¿ÐµÑ€Ñ„Ñ‚Ð¾Ñ€Ð°Ð½Ð° Ð² ÑÑ€ÐµÐ´Ñƒ Ð³Ð¸Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ñ
von: Cherkashina, I. V.
Veröffentlicht: (2003)

Ðš ÐºÐ¾Ð½Ñ†ÐµÐ¿Ñ†Ð¸Ð¸ ÑÐºÐ·Ð¸ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ñ†ÐµÑ„Ð°Ð»Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¹ ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼Ñ‹ Ð¾Ñ…Ð»Ð°Ð¶Ð´ÐµÐ½Ð½Ð¾Ð³Ð¾ Ð¼Ð¾Ð·Ð³Ð°. Ð§Ð°ÑÑ‚ÑŒ 5. Ð¤Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð°Ñ Ð³Ð¾Ð¼ÐµÐ¾Ð¼ÐµÑ‚Ñ€Ð¸Ñ ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ð¾-Ñ„ÑƒÐ½ÐºÑ†Ð¸Ð¾Ð½Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ð³Ð¾ ÑÐ¾ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ð¸Ñ Ð¸Ð¼Ð¼ÑƒÐ½Ð½Ð¾Ð¹ Ð¸ ÑÐµÑ€Ð´ÐµÑ‡Ð½Ð¾-ÑÐ¾ÑÑƒÐ´Ð¸ÑÑ‚Ð¾Ð¹ ÑÐ¸ÑÑ‚ÐµÐ¼ Ð¿Ñ€Ð¸ Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¾Ð²Ð¾Ð¼ ÑÑ‚Ñ€ÐµÑÑÐµ
von: Babiychuk, V. G., et al.
Veröffentlicht: (2006)

ÐšÑ–Ð½ÐµÑ‚Ð¸ÐºÐ° Ñ„Ð°Ð·Ð¾Ð²Ð¸Ñ… Ð¿ÐµÑ€ÐµÑ‚Ð²Ð¾Ñ€ÐµÐ½ÑŒ Ñƒ Ð¿Ñ€Ð¾Ñ†ÐµÑÑ– Ð¾Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¶ÐµÐ½Ð½Ñ â€“ Ð²Ñ–Ð´Ñ–Ð³Ñ€Ñ–Ð²Ñƒ ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½ Saccharomyces cerevisiae Ð² Ð°Ð»ÑŒÐ³Ñ–Ð½Ð°Ñ‚Ð²Ð¼Ñ–ÑÐ½Ð¸Ñ… ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð·Ð°Ñ…Ð¸ÑÐ½Ð¸Ñ… ÑÐµÑ€ÐµÐ´Ð¾Ð²Ð¸Ñ‰Ð°Ñ…
von: Ponomareva, Victoria L., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Ð’Ð¿Ð»Ð¸Ð² Ð·Ð°Ð³Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¾Ñ— ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÑÑ‚Ð¸Ð¼ÑƒÐ»ÑÑ†Ñ–Ñ— (â€“120Â°Ð¡) Ð½Ð° Ñ‚Ñ€Ð°Ð½ÑÑ„Ð¾Ñ€Ð¼Ð°Ñ†Ñ–ÑŽ ÐµÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ð¼Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¸Ñ… Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð²
von: Lomako, Victoria V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

ÐŸÑ€Ð¾Ð´Ð¾Ð»Ð¶Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ð¾Ð±Ñ‰ÐµÐ³Ð¾ Ð°ÑÑ€Ð¾ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ð²Ð¾Ð·Ð´ÐµÐ¹ÑÑ‚Ð²Ð¸Ñ(â€“120Â°Ð¡) Ð²Ð»Ð¸ÑÐµÑ‚ Ð½Ð° Ð½ÐµÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ñ‹Ðµ ÑÐ²Ð¾Ð¹ÑÑ‚Ð²Ð° ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð¼Ñ‹ÑˆÐ¸
von: Kudokotseva, Olga V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

ÐœÐµÑ‚Ð¾Ð´Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ñ–Ñ Ð·Ð°ÑÑ‚Ð¾ÑÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð°Ð¿Ñ–Ñ— Ñƒ Ð»Ñ–ÐºÐ°Ñ€ÑÑŒÐºÑ–Ð¹ Ð¿Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ð¸Ñ†Ñ–
von: Panchenko, Oleg A.
Veröffentlicht: (2019)

ÐœÐ¾Ð±Ñ–Ð»Ñ–Ð·Ð°Ñ†Ñ–Ñ CÐ°2+ Ñ–Ð· Ð²Ð½ÑƒÑ‚Ñ€Ñ–ÑˆÐ½ÑŒÐ¾ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½Ð½Ð¸Ñ… Ð´ÐµÐ¿Ð¾ Ð¾Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Sus scrofa domesticus Ð¿Ñ–ÑÐ»Ñ Ð²Ñ–Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ñ–ÐºÐ°Ñ†Ñ–Ñ— Ñ‚Ð° Ð²Ñ–Ð´Ñ–Ð³Ñ€Ñ–Ð²Ñƒ
von: Denisenko, Vitaliy Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ð°Ð¼Ñ„Ð¸Ñ„Ð¸Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… ÑÐ¾ÐµÐ´Ð¸Ð½ÐµÐ½Ð¸Ð¹ Ð½Ð° Ñ‡ÑƒÐ²ÑÑ‚Ð²Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ñ‡Ð°ÑÑ‚Ð¸Ñ‡Ð½Ð¾ Ð¾Ð±ÐµÐ·Ð²Ð¾Ð¶ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ðº Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¼Ñƒ ÑÑ‚Ñ€ÐµÑÑÑƒ
von: Orlova, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ð’Ð¿Ð»Ð¸Ð² ÐºÑ€Ñ–Ð¾ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð¸Ñ… ÑÐ´Ñ€Ð¾Ð²Ð¼Ñ–ÑÐ½Ð¸Ñ… ÐºÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½ ÐºÐ¾Ñ€Ð´Ð¾Ð²Ð¾Ñ— ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ñ‚Ð° Ñ–Ð½Ð²ÐµÑ€ÑÑ–Ñ— ÑÐ²Ñ–Ñ‚Ð»Ð¾Ð²Ð¾Ð³Ð¾ Ñ€ÐµÐ¶Ð¸Ð¼Ñƒ Ð½Ð° ÑÑ‚Ð°Ð½ ÐµÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ñ–Ð² Ñƒ ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð² Ñ€Ñ–Ð·Ð½Ð¾Ð³Ð¾ Ð²Ñ–ÐºÑƒ
von: Lomako, Viktoria V.
Veröffentlicht: (2019)

Ð‘Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ Ñ…Ð°Ñ€Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð¸ÐºÐ° Ñ€Ð°Ð½ Ð¿Ñ€Ð¸ Ð»ÐµÑ‡ÐµÐ½Ð¸Ð¸ Ð¸Ñ… ÑÐºÑÑ‚Ñ€Ð°ÐºÑ‚Ð¾Ð¼ ÐºÐ¾Ð¶Ð¸ Ð½Ð¾Ð²Ð¾Ñ€Ð¾Ð¶Ð´ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ… Ð¿Ð¾Ñ€Ð¾ÑÑÑ‚
von: Shkodovskaya, N. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)

CÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ñ‹Ðµ Ð¿ÐµÑ€ÐµÑÑ‚Ñ€Ð¾Ð¹ÐºÐ¸ Ð² ÐºÐ»ÐµÑ‚ÐºÐ°Ñ… Ð¸ Ð¸Ñ… Ð¼ÐµÐ¼Ð±Ñ€Ð°Ð½Ð°Ñ… Ð¿Ñ€Ð¸ Ð´Ð»Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾Ð¼ Ð³Ð¸Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¼ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ð¸
von: Repin, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ð’Ð¿Ð»Ð¸Ð² Ð·Ð°Ð¼Ð¾Ñ€Ð¾Ð¶ÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ Ð½Ð°ÑÑ–Ð½Ð½Ñ ÑÐ¾Ñ— Ð·Ð° Ð´Ñ–Ñ— ÐºÑ€Ñ–Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ñ–Ð² Ð½Ð° ÐµÐ½ÐµÑ€Ð³Ñ–ÑŽ Ð¿Ñ€Ð¾Ñ€Ð¾ÑÑ‚Ð°Ð½Ð½Ñ Ñ– ÑÑ…Ð¾Ð¶Ñ–ÑÑ‚ÑŒ
von: Shevchenko, N. O., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
von: Tsybulenko, Vadym, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Ð’Ð¿Ð»Ð¸Ð² Ñ€Ñ–Ð·Ð½Ð¸Ñ… Ñ€ÐµÐ¶Ð¸Ð¼Ñ–Ð² Ñ€Ð¸Ñ‚Ð¼Ñ–Ñ‡Ð½Ð¸Ñ… ÐµÐºÑÑ‚Ñ€ÐµÐ¼Ð°Ð»ÑŒÐ½Ð¸Ñ… Ñ…Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¾Ð²Ð¸Ñ… Ð²Ð¿Ð»Ð¸Ð²Ñ–Ð² Ð½Ð° ÑÐºÐ»Ð°Ð´ Ð³Ð¾Ñ€Ð¼Ð¾Ð½Ñ–Ð² Ñ– Ð»Ñ–Ð¿Ñ–Ð´Ñ–Ð² Ñƒ ÑÐ¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ñ‚Ñ†Ñ– ÐºÑ€Ð¾Ð²Ñ– Ð¼Ð¾Ð»Ð¾Ð´Ð¸Ñ… Ñ‚Ð° ÑÑ‚Ð°Ñ€Ð¸Ñ… Ñ‰ÑƒÑ€Ñ–Ð²
von: Kulik, Volodymyr V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ñ…Ð»Ð¾Ñ€Ð¸Ð´Ð° Ð°Ð»ÑŽÐ¼Ð¸Ð½Ð¸Ñ Ð¸ Ñ€Ð°Ð·Ð»Ð¸Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ… ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ð¿Ñ€Ð¾Ñ‚ÐµÐºÑ‚Ð¾Ñ€Ð¾Ð² Ð½Ð° Ñ€Ð°Ð·Ð²Ð¸Ñ‚Ð¸Ðµ Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð³Ð¾ ÐºÑ€Ð¸Ð¾Ð³ÐµÐ¼Ð¾Ð»Ð¸Ð·Ð° ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ñ‡ÐµÐ»Ð¾Ð²ÐµÐºÐ°
von: Nardid, Ya. O., et al.
Veröffentlicht: (2005)