Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...
Saved in:
| Date: | 2017 |
|---|---|
| Main Authors: | Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
by: Туркевич, В. З., et al.
Published: (2022) -
MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
by: Onikienko, Y. O., et al.
Published: (2020) -
Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
by: Veleschuk, V. P., et al.
Published: (2017) -
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009) -
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)