Зображення обкладинки

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN

The paper presents research results on the characteristics of Hall sensor based on the AlGaN/GaN heterostructure with various geometric parameters of the active region operating in the temperature range from –25 to 400ºC. The research was performed using device-technological simulation. The active l...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2017
Автори:	Stempitsky, V. R., Dao, Dinh Ha
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Теми:	високотемпературний датчик Холла гетероструктури AlGaN/GaN комп'ютерне моделювання
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.28
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
за авторством: Naida, S. A., та інші
Опубліковано: (2021)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
за авторством: Осинський, В. І., та інші
Опубліковано: (2013)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

\(N\) – real fields
за авторством: Feigelstock, Shalom
Опубліковано: (2018)

Процеси кристалізації тонких полікристалічних шарів стибніту галію для термофотовольтаїчного застосування
за авторством: Bahanov, Yevgen, та інші
Опубліковано: (2022)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
за авторством: Tsybulenko, Vadym, та інші
Опубліковано: (2020)

N-Дифлуорометиліндазоли
за авторством: Petko, Kirill I., та інші
Опубліковано: (2022)

ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
за авторством: Петруша, І. A., та інші
Опубліковано: (2022)

Гібридна модель штучного інтелекту інтегрована в ГІС для прогнозування аварій на мережах водопостачання
за авторством: Zaychenko, Yuriy, та інші
Опубліковано: (2024)

Cинтез та дослідження антимікробної активності N-алкіл(диметилалкоксіацетиламонійхлорид)-N′-[4-(гідроксиметил)-1H-піразол-3-іл]сечовин
за авторством: Bratenko, M. K., та інші
Опубліковано: (2014)

ВПЛИВ УМОВ ФОРМУВАННЯ НА ТРИБОТЕХНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ БАГАТОШАРОВОГО ПОКРИТТЯ TiNbN/CrN
за авторством: Клименко, С. Ан., та інші
Опубліковано: (2025)

Structure of relatively free \(n\)-tuple semigroups
за авторством: Zhuchok, A. V.
Опубліковано: (2023)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

On n-stars in colorings and orientations of graphs
за авторством: Protasov, Igor Vladimirovich
Опубліковано: (2016)

ВПЛИВ КИСНЮ НА РІДКОФАЗНЕ СПІКАННЯ КЕРМЕТІВ З НАНОДИСПЕРСНИХ СИСТЕМ TiN–Ni
за авторством: Кайдаш, Оксана
Опубліковано: (2019)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

ВЛАСТИВОСТІ КОМПОЗИТУ З МІДНОЮ МАТРИЦЕЮ ТА ДОБАВКОЮ N-ШАРОВОГО ГРАФЕНУ
за авторством: Соколов, О. М., та інші
Опубліковано: (2019)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Синтез димерних n-ацетилглюкозамінідів
за авторством: Zemlyakov, O. Ye., та інші
Опубліковано: (2013)

Синтез N-ацилсульфонамідів: від загальновідомих реакцій ацилювання до сучасних каталітичних і сталих методів
за авторством: Gavrylenko, Oleksii V., та інші
Опубліковано: (2025)

Приладово-технологічне моделювання магніточутливого сенсора з інтегрованим магнітним концентратором
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2018)

Застосування теплостійкої сталі з 9% хрому при реконструкції ТЕС України
за авторством: Tsaruk A.K., та інші
Опубліковано: (2005)

N-силілімін трифторопірувату в асиметричному синтезі похідних трифтороаланіну
за авторством: Cherednichenko, Alona S., та інші
Опубліковано: (2023)

On strongly almost \(m\)-\(\omega_1\)-\(p^{\omega+n}\)-projective abelian \(p\)-groups
за авторством: Danchev, Peter
Опубліковано: (2016)

Uncountably many non-isomorphic nilpotent real \(n\)-Lie algebras
за авторством: Stitzinger, Ernest, та інші
Опубліковано: (2018)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)

КЕРУВАННЯ НАПРУГОЮ ЖИВЛЕННЯ ДАТЧИКІВ ХОЛЛА У МАГНІТОЕЛЕКТРИЧНИХ СИСТЕМАХ МАЛОЇ ПОТУЖНОСТІ
за авторством: Акинін, К.П., та інші
Опубліковано: (2019)

Modeling and calculations of parameters of the joint treatment of organic contaminations (OC) and nitrogen (N) compounds in bioreactors with using of the fixed biocenosis (biofilm)
за авторством: Oliynyk, Oleksandr Ya., та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)