Зображення обкладинки

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 109–1012 m–2. Such networks are created before the epitaxial layer is applied on the front sur...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Kurmashev, Sh. D., Kulinich, O. A., Brusenskaya, G. I., Verem’eva, A. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Теми:	эпитаксиальный кремний дислокации радиационные дефекты сток дефектов радиационная устойчивость
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.57
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
за авторством: Kulinich, О. А., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Olikh, Ja. M., та інші
Опубліковано: (2004)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние неоднородности структуры на люминесцентные свойства кремниевых нанокристаллитов
за авторством: Блонский, И.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Динамика развития радиационной ползучести при генерации вакансий скользящими дислокациями
за авторством: Селищев, П.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhynin, А. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Pilipenko, V. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

ВЛИЯНИЕ АВТОНОМНОГО ИНВЕРТОРА НАПРЯЖЕНИЯ С СИНУСОИДАЛЬНОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ НА УСТОЙЧИВОСТЬ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПРИВОДА
за авторством: Денисов, Ю.А.
Опубліковано: (2012)

ВЛИЯНИЕ АВТОНОМНОГО ИНВЕРТОРА НАПРЯЖЕНИЯ С СИНУСОИДАЛЬНОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ НА УСТОЙЧИВОСТЬ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПРИВОДА
за авторством: Денисов, Ю.А.
Опубліковано: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)

ВЛИЯНИЕ КОММУТАЦИОННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ГОРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДУГИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МИКРОПЛАЗМОТРОНА
за авторством: Спирин, В.М.
Опубліковано: (2013)

ОСОБЕННОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2012)

ПРИМЕНЕНИЕ ОБОБЩЕННОЙ МОДЕЛИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ДУГИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ С ЕМКОСТНЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ СВАРОЧНОГО ТОКА
за авторством: Сидорец , В.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

ПРИМЕНЕНИЕ ОБОБЩЕННОЙ МОДЕЛИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ДУГИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ С ЕМКОСТНЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ СВАРОЧНОГО ТОКА
за авторством: Сидорец , В.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

ОСОБЕННОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2012)

ВЛИЯНИЕ КОММУТАЦИОННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ГОРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДУГИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МИКРОПЛАЗМОТРОНА
за авторством: Спирин, В.М.
Опубліковано: (2013)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)