Зображення обкладинки

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 109–1012 m–2. Such networks are created before the epitaxial layer is applied on the front sur...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Kurmashev, Sh. D., Kulinich, O. A., Brusenskaya, G. I., Verem’eva, A. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Теми:	эпитаксиальный кремний дислокации радиационные дефекты сток дефектов радиационная устойчивость
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.57
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
за авторством: Kulinich, О. А., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Динамика развития радиационной ползучести при генерации вакансий скользящими дислокациями
за авторством: Селищев, П.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Druzhynin, А. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Pilipenko, V. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

ВЛИЯНИЕ АВТОНОМНОГО ИНВЕРТОРА НАПРЯЖЕНИЯ С СИНУСОИДАЛЬНОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ НА УСТОЙЧИВОСТЬ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПРИВОДА
за авторством: Денисов, Ю.А.
Опубліковано: (2012)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
за авторством: Mokritskij, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)

ВЛИЯНИЕ КОММУТАЦИОННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ГОРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДУГИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МИКРОПЛАЗМОТРОНА
за авторством: Спирин, В.М.
Опубліковано: (2013)

ОСОБЕННОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
за авторством: Жуйков, В.Я., та інші
Опубліковано: (2012)

ПРИМЕНЕНИЕ ОБОБЩЕННОЙ МОДЕЛИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ДУГИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ С ЕМКОСТНЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ СВАРОЧНОГО ТОКА
за авторством: Сидорец , В.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

УПРАВЛЕНИЕ ВОЗБУЖДЕНИЕМ СИНХРОННЫХ МАШИН С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФУНКЦИИ КОМПЛЕКСНОЙ ОШИБКИ
за авторством: Агамалов, О.Н.
Опубліковано: (2012)

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МАГНИТНОЙ ЖИДКОСТИ В НЕОДНОРОДНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ ГЕРМЕТИЗАТОРА ВРАЩАЮЩЕГОСЯ ВАЛА
за авторством: Радионов, А.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Люминесцентные и радиационные характеристики монокристаллических алмазных порошков
за авторством: Лысенко, О.Г., та інші
Опубліковано: (2019)

Осцилляции Ааронова—Бома в монокристаллических нанонитях Bi
за авторством: Конопко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
за авторством: Shakurskiy, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)