Buchumschlag

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 109–1012 m–2. Such networks are created before the epitaxial layer is applied on the front sur...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Kurmashev, Sh. D., Kulinich, O. A., Brusenskaya, G. I., Verem’eva, A. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:	эпитаксиальный кремний дислокации радиационные дефекты сток дефектов радиационная устойчивость
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.57
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
von: Kulinich, О. А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние неоднородности структуры на люминесцентные свойства кремниевых нанокристаллитов
von: Блонский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Динамика развития радиационной ползучести при генерации вакансий скользящими дислокациями
von: Селищев, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ВЛИЯНИЕ АВТОНОМНОГО ИНВЕРТОРА НАПРЯЖЕНИЯ С СИНУСОИДАЛЬНОЙ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ НА УСТОЙЧИВОСТЬ СИСТЕМЫ ЭЛЕКТРОПРИВОДА
von: Денисов, Ю.А.
Veröffentlicht: (2012)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Druzhynin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Pilipenko, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование радиационной стойкости гибридных интегральных микросхем
von: Mokritskij, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

ВЛИЯНИЕ КОММУТАЦИОННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ГОРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДУГИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МИКРОПЛАЗМОТРОНА
von: Спирин, В.М.
Veröffentlicht: (2013)

ОСОБЕННОСТИ УПРАВЛЕНИЯ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
von: Жуйков, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ПРИМЕНЕНИЕ ОБОБЩЕННОЙ МОДЕЛИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ДУГИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ С ЕМКОСТНЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ СВАРОЧНОГО ТОКА
von: Сидорец , В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

УПРАВЛЕНИЕ ВОЗБУЖДЕНИЕМ СИНХРОННЫХ МАШИН С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФУНКЦИИ КОМПЛЕКСНОЙ ОШИБКИ
von: Агамалов, О.Н.
Veröffentlicht: (2012)

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МАГНИТНОЙ ЖИДКОСТИ В НЕОДНОРОДНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ ГЕРМЕТИЗАТОРА ВРАЩАЮЩЕГОСЯ ВАЛА
von: Радионов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Increasing the radiation resistance of single-crystal silicon epitaxial layers
von: Sh. D. Kurmashev, et al.
Veröffentlicht: (2014)