Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543845776359424 |
|---|---|
| author | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Mirdzhalilova, M. A. Asanova, G. O. Abdulkhaev, O. A. Mukhutdinov, Zh. F. |
| author_facet | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Mirdzhalilova, M. A. Asanova, G. O. Abdulkhaev, O. A. Mukhutdinov, Zh. F. |
| author_sort | Karimov, A. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-08-13T20:25:56Z |
| description | The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:52Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-399 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:52Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-3992025-08-13T20:25:56Z Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Mirdzhalilova, M. A. Asanova, G. O. Abdulkhaev, O. A. Mukhutdinov, Zh. F. photodiode structures Schottky barriers rectifying junction two-way sensitivity фотодиодные структуры барьер Шоттки выпрямляющий переход двухсторонняя чувствительность The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл — полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-02-18 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 9-12 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 9-12 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09/358 Copyright (c) 2013 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Giyasova F. A., Mirdzhalilova M. A., Asanova G. O., Abdulkhaev O. A., Mukhutdinov Zh. F. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотодиодные структуры барьер Шоттки выпрямляющий переход двухсторонняя чувствительность Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Giyasova, F. A. Mirdzhalilova, M. A. Asanova, G. O. Abdulkhaev, O. A. Mukhutdinov, Zh. F. Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_alt | Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers |
| title_full | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_fullStr | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_full_unstemmed | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_short | Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| title_sort | исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами |
| topic | фотодиодные структуры барьер Шоттки выпрямляющий переход двухсторонняя чувствительность |
| topic_facet | photodiode structures Schottky barriers rectifying junction two-way sensitivity фотодиодные структуры барьер Шоттки выпрямляющий переход двухсторонняя чувствительность |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT yodgorovadm studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT giyasovafa studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT mirdzhalilovama studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT asanovago studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT abdulkhaevoa studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT mukhutdinovzhf studyontheformationofcurrentcharacteristicsofasiliconphotodiodewithrectifyingbarriers AT karimovav issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT yodgorovadm issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT giyasovafa issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT mirdzhalilovama issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT asanovago issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT abdulkhaevoa issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami AT mukhutdinovzhf issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami |