Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC self bias potential on the RF voltage...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | Dudin, S. V., Lisovskiy, V. А., Dahov, A. N., Pletniov, V. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
за авторством: Socheslav, D. P.
Опубліковано: (2011) -
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
за авторством: Сочеслав, Д.П.
Опубліковано: (2011) -
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009) -
Вспоминая М.И. Артамонова
за авторством: Плетнева, С.А.
Опубліковано: (1998) -
Вместо предисловия (К публикации статьи М.И. Артамонова «Немировское городище: анализ полевой документации из раскопок 1909-1910 гг.»)
за авторством: Смирнова, Г.И.
Опубліковано: (1998)