Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обе­с­пе­чи­ва­ю­щий минимальную интенсивность отказов

• Дата: 2011
• Автори: Dudin, S. V., Lisovskiy, V. А., Dahov, A. N., Pletniov, V. M.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2011
• Теми: ВЧ емкостный разряд; пла­з­мо­хи­ми­ческое травление полупроводниковых материалов; пла­з­мо­хи­ми­чес­кий реактор
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.42
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Results of experimental and theoretical study of RF CCP reactor for reactive ion etching of semiconductors are presented. Breakdown curve and domain of the discharge existence are measured in various gases (argon, fluorocarbon, oxygen). The dependences of the DC self bias potential on the RF voltage...