Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
The characteristics of semiconductor strain gauges based on boron doped р-type silicon whiskers under high energy electron irradiation were studied. Strain gauges were irradiated at room temperature by electrons with energies 4,2–14 MeV and different doses 5·1016–1·1018 el/cm2. The...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | Druzhinin, A. A., Maryamova, I. I., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguj, N. S., Masluk, V. T., Mehela, I. G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
за авторством: Druzhinin, А. А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Druzhinin, А. А., та інші
Опубліковано: (2008)
Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
за авторством: Semenov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Semenov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dzhafarov, T. D., та інші
Опубліковано: (2012)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние электронного облучения на наноструктурное состояние деформированного циркония
за авторством: Довбня, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Довбня, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние электронного облучения на наноструктурное состояние деформированного циркония
за авторством: Довбня, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Довбня, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Пластическая деформация алюминия в режиме непрерывного электронного облучения
за авторством: Дубинко, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дубинко, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Твердотельное превращение оксида висмута под действием электронного облучения
за авторством: Приходько, К.Е.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Приходько, К.Е.
Опубліковано: (2002)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2011)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
Воздействие электронного облучения на скачкообразную деформацию сплава Al-3%Mg
за авторством: Дубинко, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дубинко, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние электронного облучения на структуру и свойства природных кварцитов Украины
за авторством: Шевякова, Э.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Шевякова, Э.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Безпровідна система моніторингу деформацій з використанням тензорезисторів на основі ниткоподібних кристалів кремнію
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2025)
Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2001)
Изменение структуры и свойств конструкционного сплава АК8 в результате воздействия электронного облучения
за авторством: Клепиков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Клепиков, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)
Расслоение инварного сплава Н36 в зависимости от дозы и температуры электронного облучения
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010) -
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011) -
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012) -
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008) -
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Khoverko, Yu. N.
Опубліковано: (2010)