Cover Image

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

The characteristics of semiconductor strain gauges based on boron doped р-type silicon whiskers under high energy electron irradiation were studied. Strain gauges were irradiated at room temperature by electrons with energies 4,2–14 MeV and different doses 5·1016–1·1018 el/cm2. The...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2010
Main Authors:	Druzhinin, A. A., Maryamova, I. I., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguj, N. S., Masluk, V. T., Mehela, I. G.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2010
Subjects:	кремний тензорезистор электронное облучение
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.1.26
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2010)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2012)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2008)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2006)

Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
by: Pagava, T. A., et al.
Published: (2018)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
by: Khoverko, Yu. N.
Published: (2010)

Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
by: Pagava, T. A., et al.
Published: (2019)

Состояние и проблемы развития радиоэлектронной отрасли Украины
by: Demedyuk, A. V.
Published: (2005)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)

Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
by: Druzhinin, А. А., et al.
Published: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2007)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
by: Kondrik, A. I.
Published: (2016)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009)

Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
by: Semenov, A. A., et al.
Published: (2009)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
by: Djanghidze, L. B., et al.
Published: (2009)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Perevertailo, V. L.
Published: (2011)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
by: Перевертайло, В.Л.
Published: (2011)

Влияние электронного облучения на наноструктурное состояние деформированного циркония
by: Довбня, А.Н., et al.
Published: (2012)

Пластическая деформация алюминия в режиме непрерывного электронного облучения
by: Дубинко, В.И., et al.
Published: (2010)

Влияние электронного облучения на наноструктурное состояние деформированного циркония
by: Довбня, А.Н., et al.
Published: (2012)

Твердотельное превращение оксида висмута под действием электронного облучения
by: Приходько, К.Е.
Published: (2002)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2009)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2015)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2008)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
by: Krapivko, H. I.
Published: (2005)

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2012)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
by: Turtsevich, A. S.
Published: (2008)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
by: Ховерко, Ю.Н.
Published: (2010)

Влияние электронного облучения на структуру и свойства природных кварцитов Украины
by: Шевякова, Э.П., et al.
Published: (2010)

Воздействие электронного облучения на скачкообразную деформацию сплава Al-3%Mg
by: Дубинко, В.И., et al.
Published: (2010)