Термоміграція довільно орієнтованих рідких лінійних зон Al-Si крізь пластини кремнію (110)

• Дата: 2021
• Автори: Polukhin, Оlекsіі, Kravchina, Vitalii
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2021
• Теми: ізоляція; кристалографічна орієнтація; рідкі лінійні зони Al Si; силові напівпровідникові прилади; термоміграція; температура
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.5-6.33
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper analyzes the reasons and factors that allow avoiding faceting of non-oriented linear zones. It is shown that in the manufacture of semiconductor chips with a large perimeter and a reverse voltage of 2000 V, the conditions sine qua non to create isolating walls on silicon wafers with an ori...