Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
The photoelectric characteristics of the fabricated double-base Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au structures, sensitive on both sides, have been investigated in photodiode and photovoltaic modes under irradiation determined by the intrinsic absorption region of each heterolayer. The obtaine...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.46 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543934418780160 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Giyasova, F. A. |
| author_facet | Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Giyasova, F. A. |
| author_sort | Yodgorova, D. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-01-04T20:12:16Z |
| description | The photoelectric characteristics of the fabricated double-base Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au structures, sensitive on both sides, have been investigated in photodiode and photovoltaic modes under irradiation determined by the intrinsic absorption region of each heterolayer. The obtained structures are of interest as noiseless photodetectors for opto- and microelectronics. |
| first_indexed | 2026-02-08T08:11:07Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-760 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-02-08T08:11:07Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-7602026-01-04T20:12:16Z Some photoelectric features of the characteristics of a two-base Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au structure Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Giyasova, F. A. double-base structure charge transport photovoltaic impurity space-charge layer isotype heterojunction двухбазовая структура токоперенос фотовольтаический примесный слой объемного заряда изотипный гетеропереход The photoelectric characteristics of the fabricated double-base Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au structures, sensitive on both sides, have been investigated in photodiode and photovoltaic modes under irradiation determined by the intrinsic absorption region of each heterolayer. The obtained structures are of interest as noiseless photodetectors for opto- and microelectronics. Исследованы фотоэлектрические характеристики созданных двухсторонне чувствительных двухбазовых Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au-структур в фотодиодном и фотовольтаическом режимах при воздействии излучением, определяемом областью собственного поглощения каждого из гетерослоев. Полученные структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для опто- и микроэлектроники. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2008-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.46 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2008): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-49 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-49 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.46/689 Copyright (c) 2008 Yodgorova D. M., Karimov A. V., Giyasova F. A., Saidova R. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | двухбазовая структура токоперенос фотовольтаический примесный слой объемного заряда изотипный гетеропереход Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Giyasova, F. A. Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры |
| title | Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры |
| title_alt | Some photoelectric features of the characteristics of a two-base Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au structure |
| title_full | Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры |
| title_fullStr | Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры |
| title_full_unstemmed | Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры |
| title_short | Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры |
| title_sort | некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой ag–n⁰al₀.₂ga₀.₈as–n⁺gaas–n⁰ga₀.₉in₀.₁as–au-структуры |
| topic | двухбазовая структура токоперенос фотовольтаический примесный слой объемного заряда изотипный гетеропереход |
| topic_facet | double-base structure charge transport photovoltaic impurity space-charge layer isotype heterojunction двухбазовая структура токоперенос фотовольтаический примесный слой объемного заряда изотипный гетеропереход |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.3.46 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm somephotoelectricfeaturesofthecharacteristicsofatwobaseagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustructure AT karimovav somephotoelectricfeaturesofthecharacteristicsofatwobaseagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustructure AT giyasovafa somephotoelectricfeaturesofthecharacteristicsofatwobaseagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustructure AT saidovara somephotoelectricfeaturesofthecharacteristicsofatwobaseagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustructure AT giyasovafa somephotoelectricfeaturesofthecharacteristicsofatwobaseagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustructure AT yodgorovadm nekotoryeosobennostifotoélektričeskihharakteristikdvuhbazovojagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustruktury AT karimovav nekotoryeosobennostifotoélektričeskihharakteristikdvuhbazovojagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustruktury AT giyasovafa nekotoryeosobennostifotoélektričeskihharakteristikdvuhbazovojagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustruktury AT saidovara nekotoryeosobennostifotoélektričeskihharakteristikdvuhbazovojagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustruktury AT giyasovafa nekotoryeosobennostifotoélektričeskihharakteristikdvuhbazovojagn0al02ga08asngaasn0ga09in01asaustruktury |