Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
FeIn2Se4 crystals with a layered structure and magnetic component were grown by the Bridgman method. Heterojunctions of type n-InSe–p-FeIn₂Se₄ were fabricated. From the capacitance–voltage characteristics, the potential barrier height of the heterojunctions was determined. Current–voltage character...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.5.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Koval’chuk, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ГРАНУЛИРОВАННОЙ ТОКОПРОВОДЯЩЕЙ СРЕДЫ
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Двухатомная модель квантового кристалла
за авторством: Полуэктов, Ю.М.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Полуэктов, Ю.М.
Опубліковано: (2008)
Автоматизированная диагностика химических источников тока
за авторством: Dzenzerskiy, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dzenzerskiy, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Способи та методи зміни морфології залізовмісних фаз у силумінах: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.30-41
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Обзор методов расчета напряженного состояния диска, сжимаемого между плоскими наковальнями Бриджмена
за авторством: Виноградов, С.А.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Виноградов, С.А.
Опубліковано: (2015)
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kaminskii, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование метрологических характеристик системы измерения малых изменений температуры
за авторством: Samynina, M. G., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Samynina, M. G., та інші
Опубліковано: (2014)
Falz-Fein family's parks. Their contribution to the landscape architecture of Northern Black Sea area
за авторством: B. C. Havrylenko, та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: B. C. Havrylenko, та інші
Опубліковано: (2000)
НЕЛИНЕЙНО-ПАРАМЕТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ДЛЯ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ИЗМЕНЕНИЙ ПРИЛОЖЕННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
за авторством: Шидловская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Шидловская, Н.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Обобщение результатов испытаний горных пород на наковальнях бриджмена с целью выбора материала контейнера АВД
за авторством: Виноградов, С.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Виноградов, С.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не
за авторством: Цымбаленко, В.Л.
Опубліковано: (1995)
за авторством: Цымбаленко, В.Л.
Опубліковано: (1995)
Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии
за авторством: Суджанская, И.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Суджанская, И.В., та інші
Опубліковано: (2011)
ДИСТАНЦИОННОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ ПОД РАБОЧИМ НАПРЯЖЕНИЕМ
за авторством: Борщев, П.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Борщев, П.И.
Опубліковано: (2015)
Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
за авторством: Sorokin, V. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Sorokin, V. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)
Динамика решетки и теплоемкость двумерного моноатомного кристалла на подложке
за авторством: Анцыгина, Т.Н., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Анцыгина, Т.Н., та інші
Опубліковано: (2002)
Проводимость двумерного электронного кристалла над жидкими растворами ³He–⁴He
за авторством: Сивоконь, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сивоконь, В.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Пьезоэлектрический механизм ориентации двухслойного вигнеровского кристалла в матрице GaAs
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Филь, Д.В.
Опубліковано: (2001)
Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)