Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
P-n junction semiconductor photodetectors are widely used in various fields of science and technology, including automation and telecontrol, instrumentation equipment, tracking systems, guidance, etc. The most demanded photoelectronic devices are silicon p-i-n photodiodes (PD). Their main field of a...
Saved in:
| Date: | 2021 |
|---|---|
| Main Authors: | Kukurudziak, Mykola, Dobrovolsky, Yuriy |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2021.1-2.61 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
by: Kukurudziak , Mykola, et al.
Published: (2020) -
Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
by: Kukurudziak, Mykola, et al.
Published: (2023) -
ТРАНЗИСТОРНИЙ РЕЗОНАНСНИЙ ІНВЕРТОР НАПРУГИ З НЧ ІМПУЛЬСНОЮ МОДУЛЯЦІЄЮ ДЛЯ УСТАНОВОК ІНДУКЦІЙНОГО НАГРІВУ
by: Герасименко, П.Ю.
Published: (2015) -
Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
by: Kshevetskyi, Oleg, et al.
Published: (2025) -
МОДЕЛЬ РЕЗОНАНСНОГО ТРАНЗИСТОРНОГО ІНВЕРТОРА НАПРУГИ З НИЗЬКОЧАСТОТНОЮ ІМПУЛЬСНОЮ МОДУЛЯЦІЄЮ
by: Юрченко, О.М., et al.
Published: (2010)